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μ0中的4π是为了使常用的电磁学公式的计算得到简化(所以SI制的电磁学部分叫做MKSA有理制),其中的则是为了使电流强度的单位安培(基本单位)接近于实际使用的大小。μ0的量纲为[MLT-2I-2]。
实验测得这个数值是一个普适的常数,联系着力学和电磁学的测量。真空磁导率是由运动中的带电粒子或电流产生磁场的公式中产生,也出现在其他真空中产生磁场的公式中公式中产生,也出现在其他真空中产生磁场的公式中。
真空磁导率是一个常数,也可以定义为一个基础的不变量,是真空中麦克斯韦方程组中出现的常数之一。在经典力学中,自由空间是电磁理论中的一个概念,对应理论上完美的真空,有时称为“自由空间真空”或“经典真空”。
在真空中,磁场常数是磁感应强度和磁场强度的比率:
真空磁导率
无限长载流直导线外距离导线r处:
无限长载流直导线外距离导线r处:
坡莫合金相对磁导率μr=μ/μ02*104~2*105
从几到3万,范围很宽。六角晶系铁氧体:几到几十。NiZn(MgZn)铁氧体:几十到2000,目前最高4000,磁导率上千的很少见。MnZn铁氧体:几百到30000,5000以上算高磁导率。铁氧体饱合磁...
一、真空度是指处于真空状态下的气体稀薄程度。所谓的真空度是指一个空间内气体分子数的密度比标准状态下(一个大气压101325pa)少。而湿度通常是指气态水分子的多少。空气中除了氮和氧以外,还有很多其他气...
自由空间阻抗
电磁波方程
电磁场的数学表述
新国际单位制的定义
Fe81Ga19磁致伸缩合金的动态磁导率研究
研究了Fe81Ga19磁致伸缩合金在不同的偏置磁场和频率下的动态磁导率。在低频或准静态下,该合金的磁导率能够达到160以上,但随频率增加,磁导率逐渐下降,频率大于6 KHz时,磁导率的下降减缓,并逐渐趋于稳定。当施加平行偏置磁场时,磁导率明显降低,而施加垂直偏置磁场时,与零偏置磁场相比,磁导率除较低频率段有少量的下降外,基本保持不变。
磁场的能量密度=B^2/2μ
在国际单位制(SI)中,相对磁导率μr是无量纲的纯数,磁导率μ的单位是亨利/米(H/m)。
常用的真空磁导率
低频磁场屏蔽
低频磁场是较难屏蔽的。利用高磁导率材料吸收损耗大的特点来屏蔽低频磁场是一个常用的磁场屏蔽法。使用高磁导率材料应注意以下几点:
(1)磁导率随着频率的升高而降低,材料手册上给出的数据通常是直流时的磁导率。直流时的磁导率越高,其随频率升高降低得越快。
(2)高磁导率材料在经过加工或受到冲击、碰撞后会发生磁导率降低的现象,因此必须在加工后进行适当的热处理。
(3)磁导率与外加磁场的强度有关。当外加磁场适中时,磁导率最高;当外加磁场过强时,屏蔽材料会发生饱和,磁饱和时的场强与材料的种类和厚度有关。
当要屏蔽的磁场很强时,如果使用高磁导率材料,会因磁饱和而丧失屏蔽效能;而使用低磁导率材料,由于吸收损耗不够,将不能满足要求。遇到这种情况,可采用双层屏蔽,如图2所示。
零磁通电流传感器
最有效的电流传感器是采用高磁导率材料制造的零磁通电流传感器,如坡莫合金、非晶态合金等。
一般传感器采用普通互感器原理,传感器工作在磁滞回线上很短的一个区域,这个区域可以近似为一条斜线,它们极易受材料内应力以及温度的影响,造成磁滞回线变化,测试数据极不稳定。零磁通传感器是由1个
图3中原边线圈流过电流
此传感器的关键在于整个系统工作在磁通为零的这个工作点,而不像传统传感器工作在一条磁滞回线上,所以避免了传统传感器的特性随温度漂移、非线性不好等缺点。即使电流在较大范围内变化时,传感器也可正常工作。
(1)初始磁导率μi:是指基本磁化曲线当H→0时的磁导率
(2)最大磁导率μm:在基本磁化曲线初始段以后,随着H的增大,斜率μ=B/H逐渐增大,到某一磁场强度下(Hm),磁密度达到最大值(Bm) ,即(3)饱和磁导率μS:基本磁化曲线饱和段的磁导率,μs值一般很小,深度饱和时,μs=μo。
(4)差分(增量)磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。ΔB及△H是在(B1,H1)点所取的增量如图1和图2所示。
(5)微分磁导率,μd∶μd=dB /dH,在(B1,H1)点取微分,可得μd。
可知:μ1=B1/H1,μ△=△B /△H,μd=dB1/dH1,三者虽是在同一点上的磁导率,但在数值上是不相等的。
非磁性材料(如铝、木材、玻璃、自由空间)B与H之比为一个常数,用μ。来表示非磁性材料的的磁导率,即μ。=1(在CGS单位制中)或 μ。=4πX10o-7(在RMKS单位制中)。
在众多的材料中,如果自由空间(真空)的μo=1,那△么比1略大的材料称为顺磁性材料(如白金、空气等);比1略小的材料,称为反磁性 材料(如银、铜、水等)。本章介绍的磁性元件μ1是大有用处的。只有在需要磁屏蔽时,才会用铜等反磁性材料做成屏蔽罩使磁元件的磁 不会辐射到空间中去。
下面给出几个常用的参数式:
(1)有效磁导率μro。在用电感L形成闭合磁路中(漏磁可以忽略),磁心的有效磁导率为:
式中 L--绕组的自感量(mH);
W--绕组匝数;
磁心常数,是磁路长度Lm与磁心截面积Ae的比值(mm).
(2)饱和磁感应强度Bs。随着磁心中磁场强度H的增加,磁感应强度出现饱和时的B值,称为饱和磁感应强度B。
(3)剩余磁感应强度Br。磁心从磁饱和状态去除磁场后,剩余的磁感应强度(或称残留磁通密度)。
(4)矫顽力Hco。磁心从饱和状态去除磁场后,继续反向磁化,直至磁感应强度减小到零,此时的磁场强度称为矫顽力(或保磁力)。
(5)温度系数aμ°温度系数为温度在T1~T2范围内变化时,每变化1℃相应磁导率的相对变化量,即
式中 μr1--温度为T1时的磁导率;
μr2--温度为T2时的磁导率。
值得注意的是:除了磁导率μ与温度有关系之外,饱和磁感应强度Bs、剩余磁感应强度Br、矫顽力Hc,以及磁心比损耗Pcv(单位重量损耗W/kg)等磁参数,也都与磁心的工作温度有关。