选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
薄膜沉积。 2100433B
极限真空优于5*10^-4Pa;真空室尺寸:Φ600mm球形;抽速:26分钟达到1×10-3Pa;钛靶和碳靶各2个,均为Ф100mm;弧电源电流60~150A连续可调;脉冲负偏压0~1000V可调,占空比10%--90%可调;离子源平均引出电流/电压:10.7mA/76KV;束斑直径Ф150mm。
虫子10000(站内联系TA)上海交大,金属所都有,不知道是否对外addadd(站内联系TA)北京有没有?一般的都是多大锭子的炉子martensite(站内联系TA)北京很多高校和研究所都有,比如有色...
淄博旭发工贸-----电弧喷涂机优点淄博旭发工贸有限公司最新设计开发出一种新型的逆变式电弧喷涂机,以克服当前普通的变压器抽头式电弧喷涂设备性能差、适应性不强的缺点。此系统由主电源、封闭式喷枪和送丝装置...
我帮你查到了~~目前世界上真空电弧炉容量已达到50吨。而国内设计生产的都在10吨以下!所以应该是最大容量就是10吨吧~呵呵~祝你一切顺利!
半导体工艺之离子注入答辩
半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间,注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺,粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的,即等离子体,它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后,会与硅原子碰撞而损失能量, 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子
Ta离子注入对铝青铜耐磨性能的影响
采用俄歇电子能谱仪分析Ta离子注入铝青铜合金的Ta、Cu和Al元素分布,利用显微硬度仪测量注入Ta离子铝青铜的显微硬度,用摩擦磨损试验机分析QAl9-4铝青铜的摩擦系数和磨损质量损失。结果表明:随Ta离子注入剂量的增加,铝青铜中的Ta原子浓度升高,离子注入深度超过100 nm,显微硬度显著增高,在距合金表面约60 nm深处硬度达到最大值;铝青铜的摩擦系数显著降低,单位时间内磨损质量损失显著减小,因此明显提高了铝青铜的耐磨性能。
在真空电弧重熔过程中,金属的熔化和凝固过程同时进行,由子在水冷铜结晶器内存在大的温度梯度,在这种条件下凝固会形成粗大晶体。而在真空凝壳炉熔炼中,金属的熔化和浇注完全分开进行,由于金属液面没有电极的阳极辉点,热场相对均匀,加之熔池发生搅动,促使铸件凝固时长大的晶体前沿形成过冷金属液,在该处出现补充的结晶中心,从而可以获得细晶组织,这是真空凝壳炉较真空电弧炉熔炼的又一优点。真空凝壳炉熔炼的铸件具有较高的机械性能。例如一般真空电弧炉熔炼的MT(Mo 0.5%Ti)合金的延伸率占为1%-2%,而用真空凝壳炉熔炼的同一合金的占为3%~5% 。
高速开关的电弧电压决定了故障电流转移的时间,研制的高速开关断口采用的是17.5kV真空灭弧室。真空电弧有10kA 以下的扩散型和10kA以上的集聚型两种形态。混合型断路器电弧电流一般只有几千安,属于扩散型电弧。对扩散型真空电弧电压起主导作用的是阴极压降,而阴极压降主要由触头材料决定。触头材料的沸点温度与热导率的乘积越大,阴极压降越高。因此为提高电弧电压,缩短电流换流时间,可以选取高沸点和热导率的触头材料。除此之外,也可通过外加磁场的方式提高电弧电压,电弧电压最高可达数千伏。
高速开关采用的是宝光真空灭弧室厂生产的17.5kV/1.250A 的真空灭弧室,触头开距为(9±1)mm,运动部分质量为1.1kg。当电流从4kA增大到10kA时铜钨触头的真空电弧电压基本在30V左右保持稳定,当电流下降时电弧电压有所降低。
1950年美国发明了第一台小型(4.5kg)真空电弧凝壳炉。后来各国又出现了电子束凝壳炉、等离子体凝壳炉等,但常用的是真空电弧凝壳炉,简称真空凝壳炉 。