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薄膜沉积。 2100433B
极限真空优于5*10^-4Pa;真空室尺寸:Φ600mm球形;抽速:26分钟达到1×10-3Pa;钛靶和碳靶各2个,均为Ф100mm;弧电源电流60~150A连续可调;脉冲负偏压0~1000V可调,占空比10%--90%可调;离子源平均引出电流/电压:10.7mA/76KV;束斑直径Ф150mm。
DEH系统主要功能: 汽轮机转速控制;自动同期控制;负荷控制;参与一次调频;机、炉协调控制;快速减负荷;主汽压控制;单阀控制、多阀解耦控制;阀门试验;轮机程控启动;OPC控制;甩负荷及失磁工况控制;...
具有零位自动跟踪、置零、去皮、重量、单价、金额运算、8种单价设定金额累加、总计、超载、超值报警、出错信息 提示、电源交直流二用、空机自动进入低功耗节能状态、数字电压表自测、电压不足自动关机功能。电子桌...
一、 LED 的结构及发光原理50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,第一个商用二极管产生于 1960 年。 LED 是英文 light emitting diode (发光二极管)的缩...
道闸主要功能
道闸 主要功能: 功能一,手动按钮可作 ‘升’‘降’及‘停’操作、无线遥控可作 ‘升’‘降’‘停’及对手动按钮的 ‘加锁’‘解锁 ’操作 ; 功能二,停电自动解锁,停电后可手动抬杆 ; 功能三,具有便于维护与调试的 ‘自检模式 ’; 道闸 道闸又称挡车器,最初从国外引进,英文名叫 Barrier Gate ,是专门用于道路上限 制机动车行驶的通道出入口管理设备 ,现广泛应用于公路收费站、 停车场系统 管理车 辆通道,用于管理车辆的出入。电动道闸可单独通过无线遥控实现起落杆,也可以通过 停车场管理系统 (即 IC 刷卡管理系统)实行自动管理状态,入场取卡放行车辆,出场 时,收取 停车费 后自动放行车辆。
半导体工艺之离子注入答辩
半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间,注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺,粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的,即等离子体,它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后,会与硅原子碰撞而损失能量, 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子
在真空电弧重熔过程中,金属的熔化和凝固过程同时进行,由子在水冷铜结晶器内存在大的温度梯度,在这种条件下凝固会形成粗大晶体。而在真空凝壳炉熔炼中,金属的熔化和浇注完全分开进行,由于金属液面没有电极的阳极辉点,热场相对均匀,加之熔池发生搅动,促使铸件凝固时长大的晶体前沿形成过冷金属液,在该处出现补充的结晶中心,从而可以获得细晶组织,这是真空凝壳炉较真空电弧炉熔炼的又一优点。真空凝壳炉熔炼的铸件具有较高的机械性能。例如一般真空电弧炉熔炼的MT(Mo 0.5%Ti)合金的延伸率占为1%-2%,而用真空凝壳炉熔炼的同一合金的占为3%~5% 。
高速开关的电弧电压决定了故障电流转移的时间,研制的高速开关断口采用的是17.5kV真空灭弧室。真空电弧有10kA 以下的扩散型和10kA以上的集聚型两种形态。混合型断路器电弧电流一般只有几千安,属于扩散型电弧。对扩散型真空电弧电压起主导作用的是阴极压降,而阴极压降主要由触头材料决定。触头材料的沸点温度与热导率的乘积越大,阴极压降越高。因此为提高电弧电压,缩短电流换流时间,可以选取高沸点和热导率的触头材料。除此之外,也可通过外加磁场的方式提高电弧电压,电弧电压最高可达数千伏。
高速开关采用的是宝光真空灭弧室厂生产的17.5kV/1.250A 的真空灭弧室,触头开距为(9±1)mm,运动部分质量为1.1kg。当电流从4kA增大到10kA时铜钨触头的真空电弧电压基本在30V左右保持稳定,当电流下降时电弧电压有所降低。
1950年美国发明了第一台小型(4.5kg)真空电弧凝壳炉。后来各国又出现了电子束凝壳炉、等离子体凝壳炉等,但常用的是真空电弧凝壳炉,简称真空凝壳炉 。