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最新电子器件置换手册目录

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前言

第1章 系统安装

1.1 运行环境

1.2 安装步骤

1.3 启动《最新电子器件置换手册(软件版)》

1.4 注册《最新电子器件置换手册(软件版)》

1.5 卸载《最新电子器件置换手册(软件版)》

第2章 主界面介绍

2.1 功能划分

2.2 菜单区

2.2.1 “打开”菜单

2.2.2 “前进”、“后退”菜单

2.2.3 “搜索”菜单

2.2.4 “注释”菜单

2.2.5 “自定义”菜单

2.2.6 “属性”菜单

2.2.7 “支持”菜单

2.2.8 “帮助”菜单

2.2.9 “退出”菜单

2.3 工具栏

2.4 导航区

2.5 资料显示区

第3章 主要功能使用介绍

3.1 数据保存

3.2 数据查询

3.3 快速查询

附录A 《最新电子器件置换手册(软件版)》查阅说明

附录B 常用电子器件的简介

B.1 晶体二极管简介

B.1.1 晶体二极管的分类

B.1.2 晶体二极管的命名

B.1.3 晶体二极管主要参数

B.1.4 晶体二极管的结构与符号

B.1.5 晶体二极管的选用

B.1.6 晶体二极管的检测

B.2 晶体三极管简介

B.2.1 晶体三极管的分类

B.2.2 晶体三极管的命名

B.2.3 晶体三极管的参数

B.2.4 晶体三极管的结构与符号

B.2.5 晶体三极管的选用

B.2.6 晶体三极管的检测

B.3 晶闸管简介

B.3.1 晶闸管的分类

B.3.2 晶闸管的命名

B.3.3 晶闸管的参数

B.3.4 晶闸管的结构与符号

B.3.5 晶闸管的选用

B.3.6 晶闸管的检测

B.4 场效应晶体管简介

B.4.1 场效应晶体管的分类

B.4.2 场效应晶体管的命名

B.4.3 场效应晶体管结构与图形符号

B.4.4 场效应晶体管参数

B.4.5 场效应晶体管的使用

B.4.6 场效应晶体管的检测

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最新电子器件置换手册造价信息

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《最新电子器件置换手册(软件版)》是目前国内有关电子器件方面数据资料较为齐全和规范的资料库软件系统,具有开发思路新颖、数据资源丰富、实用性强等特点,适用于从事电气与电子设备维修、设计、研发、生产、制作的工程技术人员,也适用于电子器件销售人员及电子爱好者。

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最新电子器件置换手册文摘

2.晶体三极管性能好坏的检测

已知类型和引脚排列的晶体三极管,可按下述方法来判断其性能的好坏。

(1)反向击穿电流,ICEO的检测

普通晶体三极管的ICEO可通过测量晶体三极管发射极E与集电极C之间的电阻值来进行估测。测量时,将万用表置R×1k档,NPN型管的集电极C接黑表笔,发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔,发射极E接黑表笔。若测量晶体三极管C、E极之间的电阻值偏小,则表明被测管子的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值接近零,则说明其C、E极之间已击穿损坏;如果C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变得很小,则说明该管的热稳定性不良。

也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体三极管的反向击穿电流,具体作法是:将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档,选择晶体三极管的极性,将被测管的三个引脚插入测试孔,再按下ICEO键,即可从表中读出被测晶体三极管的ICEO值。

(2)反向击穿电压VCEO的检测

使用晶体管直流参数测试表的V(BR)测试功能,即可测得晶体三极管的反向击穿电压。测量时,先选择被测晶体三极管的极性,再将晶体三极管插入测试孔,按动相应的V(BR)键,即可从表中读出被测晶体三极管的VCEO值。

(3)放大能力β的检测

晶体三极管的放大能力可以用万用表的hFE档测量。测量时,先将万用表置于ADJ档进行调零后,再拨至hFE档,将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

若万用表无hFE挡,也可使用万用表的R×1k档来估测晶体三极管的放大能力,具体作法是:对于PNP型管,将黑表笔接E、红表笔接C,再在B、C极之间并接1只电阻(硅管为100kΩn、锗管为20kΩ),然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大,说明晶体三极管的放大能力越强。如果万用表指针不变或摆动幅度较小,则说明晶体三极管无放大能力或放大能力较差。对于NPN型管,测试时应将黑表笔接C、红表笔接E,具体测试方法与PNP型管相同。

3.特殊晶体三极管性能好坏的检测

(1)达林顿晶体三极管的检测

1)普通达林顿晶体三极管的检测

将万用表置R×1k或R×10k档,测量达林顿晶体三极管各电极之间的正、反向电阻值。正常时,C-B极之间的正向电阻为3~10kΩ(测NPN型管时黑表笔接基极B,测PNP型管时黑表笔接集电极C),反向电阻为无穷大;E-B极之间的的正向电阻是C-B极之间正向电阻的2~3倍(测NPN型管时黑表笔接基极B、测PNP型管时黑表笔接发射极E),反向电阻值为无穷大;C-E极之间的正、反向电阻值均接近无穷大。若测得C-E极或B-E极、B-C极之间的正反向电阻值均接近零,则说明该管已击穿损坏;反之,若测得为无穷大,则说明该管已开路损坏。

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最新电子器件置换手册目录常见问题

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最新电子器件置换手册目录文献

电力电子器件的运用分析 电力电子器件的运用分析

电力电子器件的运用分析

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在通俗概念中认为中国在科技技术方面发展较晚,而根据现阶段的研究发现,自从改革开放始,在进入21世纪之前,中国在科技技术相关领域已经有了很大进展,基本上可以与世界同步;加入WTO以后中国在电力电子方面的发展速度更快、原创性的产品也在不断出现,当前电力工业之所以能够领先于世界也是这种快速发展与不断创新产生的直接结果。以下选取电力电器件作为主题,先说明电力电子器件的基本类型、性能,再通过对其中的驱动电路设计、器件保护等方面对它的运用加以讨论。

电力电子器件发展论文 电力电子器件发展论文

电力电子器件发展论文

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引 言 电力电子技术包括功率半导体器件与 IC 技术、功率变换技术及控制技术等几个方面 , 其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础 ,也是电力电子技术发展的“龙头” 。从 年 美国通用电气 公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始 ,电能的变换和控制从旋转 的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代 ,这标志着电力电子 技术的诞生。到了 70 年代 ,晶闸管开始形成由低压小电流到高压大电流的系列产品。同时 , 非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等晶闸管派生器件相继问世 ,广泛应 用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点 ,其研 制及应用得到了飞速发展。由于普通晶闸管不能自关断 ,属于半控型器件 ,因而被称作第一代 电力电子器件。 在实际需要的推动下 ,随着理论研究和工艺水平的不断提高 ,电力电子器件在 容量和类型等方面

最新通用晶闸管置换手册内容简介

本书全面汇编了国内外电气与电子设备中所使用的晶闸管(包括部分功能与参数和晶闸管类似的晶闸二极管和晶闸四极管)及其模块的实用关键参数和代换型号,内容涉及到2006年以前国内外晶闸管生产厂家的大部分最新晶闸管和模块的型号。全书共分三部分,第一部分介绍该手册的查阅方法;第二部分介绍晶闸管的型号命名、使用和检测方法等基础知识;第三部分以表格的形式介绍晶闸管型号(国别)、主要参数、功能用途和近似置换。该书内容全面、查阅简单、携带方便,是一本介绍晶闸管及其模块关键参数和代换资料的最新工具书。

本书适合于电气与电子设备维修、设计、研发、生产、制作人员,电子元器件销售人员及电子爱好者查阅。

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最新通用场效应晶体管置换手册内容简介

本书全面汇编了国内外电气与电子设备中所使用的场效应晶体管及其模块的实用关键参数和代换型号,内容涉及到2006年以前国内外场效应晶体管生产厂家生产的大部分最新场效应晶体管和模块的型号。全书共分三部分:第一部分介绍该手册的查阅方法;第二部分介绍场效应晶体管的结构、命名、参数、使用和检测方法等基础知识;第三部分以通用数表的形式介绍场效应晶体管的型号(国别)、关键参数、材料或类别、近似置换和备注。该书内容全面、查阅简单,携带方便,是一本全面介绍场效应晶体管及其模块关键参数和工换资料的最新工具书。

本书适合于电气与电子设备维修、设计、研发、生产、制作人员,电子器件销售人员及电子爱好者查阅。

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最新通用晶体三极管置换手册内容简介

本书全面汇编了国内外电气和电子设备中所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和带环型号,内容涉及2006年以前国内外三极管生产厂家的大部分最新晶体三极管(包括晶体三极管模块)的型号。

本书内容全面、查阅简单、携带方便,使一班介绍晶体三极管及其模块关键参数和代换资料的最新工具书。

本书适合于电气和电子设备维修、设计、研究、生产、制作人员,电子器件销售人员及电子爱好者查阅。

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