1. 晶体溶解度:

从溶液中生长单晶体，很重要的一个参数是了解物质的溶解度。根据溶解度与温度的关系绘制得到物质的溶解度曲线，它是选择晶体生长方法和生长温度区间的重要依据。

2.晶体结晶习性:

取少量纯固体磷酸二氢钾将其配制成未饱和溶液(以溶解度曲线为依据)，自然蒸发数日后逐渐达到饱和，此时溶液形成少量晶核，在结晶驱动力作用下，逐渐形成外形完整的KDP小籽晶。

3. 单晶培养:

根据物质的溶解度曲线，配置某一温度下一定量的饱和溶液(注意控制溶液pH≈4.5)至育晶器中，将育晶器放入恒温槽，用吊晶法准确测出溶液饱和点温度，然后升温至比饱和点温度高出5℃，让溶液恒温隔夜过热，除净结晶中心。选择Z轴方向无缺陷晶片作为生长籽晶，固定于籽晶架上，在稍高于饱和点温度下，放入籽晶，并逐渐降至饱和点，采用降温法按每天一定降温速率(0.4℃/day)从水溶液中培养单晶。