一个实际的电阻器，在低频时主要表现为电阻特性，但在高频时不仅表现出电阻特性，而且还表现出了电抗特性。电阻器的电抗特性反映的就是其高频特性。
一个电阻R的高频等效电路;其中，CR为分布电容，LR为引线电感，R为电阻。
由介质隔开的两导体构成电容。一个理想电容器的容抗为1/(jωC)，电容器的容抗与频率的关系如图1-2(b)虚线所示，其中f为工作频率，ω=2πf。
一个实际电容C的高频等效电路如图所示，其中Rc为损耗电阻
，Lc为引线电感。容抗与频率的关系如图1-2(b)实线所示，其中f为工作频率，ω=2πf。
(a)电容器的等效电路;(b)电容器的阻抗特性;
理想高频电感器L的感抗为jωL，其中ω为工作角频率。
实际高频电感器存在分布电容和损耗电阻;自身谐振频率SRF。在SRF上，高频电感阻抗的幅值最大，而相角为零。
(一)二极管
半导体二极管在高频中主要用于检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。
晶体管与场效应管(FET)
在高频中应用的晶体管仍然是双极型晶体管和各种场效应管，在外形结构方面有所不同。高频晶体管有两大类型:一类是作小信号放大的高频小功率管，对它们的主要要求是高增益和低噪声;另一类为高频功率管，其在高频工作时允许有较大管耗，且输出功率较大。
(二)集成电路
用于高频的集成电路的类型和品种主要分为通用型和专用型两种。
