高硅钢薄板再结晶织构受退火温度影响的原因可能来自两个方面：

（1）不同取向晶粒形核率的温度依赖性；

（2）不同取向晶粒长大速率的温度依赖性。

为此，进行了900℃不同时间的退火实验，以考察晶粒长大过程中的织构演变。两退火工艺下均完全再结晶，平均晶粒尺寸分别为22和151μm。退火0．4min时再结晶织构主要为以{001}〈210〉为峰值的{001}织构和以{111}〈112〉为峰值的γ织构，而且二者强度相近；退火100min时，{001}织构成为主导织构组分。显然，在0．4～10min范围内随退火时间延长，以{111}〈112〉为峰值的γ织构显著减弱，{001}〈210〉发展为主导织构组分；在10～100min范围内，织构类型和取向密度变化都相对较小。

700和900℃下再结晶刚完成阶段的织构相似性表明：不同温度下再结晶织构的差异，是在晶粒长大过程中形成的。随再结晶晶粒长大，{001}晶粒逐步吞并其它取向晶粒而成为主导织构组分，γ晶粒则逐渐被吞并而减弱。无取向硅钢的晶粒尺寸和再结晶织构是影响磁性能的两个关键结构参数。目前采用的退火工艺都是以获得最优晶粒尺寸为导向，而在此过程中再结晶织构通常随晶粒长大向不利方向转变。高硅钢的再结晶织构呈现不同的演变规律：随晶粒长大，不利的γ织构逐渐减弱甚至消失，而有利的{001}织构则持续增强为主要织构组分 。