1、一种低水峰光纤预制件的制造方法，它包括以下步骤：
（1）制备芯棒松散体，
（2）芯棒松散体采用氯气（Cl2）或亚硫酰氯（SOCl2）干燥，
（3）芯棒松散体烧结、拉伸成玻璃体芯棒，
（4）在玻璃体芯棒的外表面包覆二氧化硅包层，形成多孔玻璃预制件，
（5）多孔玻璃预制件干燥，
（6）多孔玻璃预制件烧结成光纤预制件，其特征是在芯棒松散体采用氯气（Cl2）或亚硫酰氯（SOCl2）干燥步骤后对芯棒松散体进行同位素D-H交换干燥步骤，同位素D-H交换干燥在烧结炉内进行，在烧结炉的气体入口处通入重水（D2O）气体和氘气（D2）中的至少一种，炉内温度保持在1200℃～1300℃，干燥60～360分钟。
2、根据权利要求1所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是对芯棒松散体进行同位素D-H交换干燥步骤与步骤（3）芯棒松散体烧结、拉伸成玻璃体芯棒之间有二次氯气（Cl2）干燥步骤，二次氯气（Cl2）干燥时间为180～360分钟。
3、根据权利要求1或2所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是芯棒松散体同位素D-H交换干燥时先用流量为0.25SLPM的Cl2和20SLPM的He流经烧结炉，之后，用较大流量的He（20～30SLPM）吹扫烧结炉10～20分钟，再将烧结炉气体转换成重水（D2O）气体60～360分钟。
4、根据权利要求3所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是烧结炉气体转换重水（D2O）气体时使用重水鼓泡器，鼓泡器温度设定范围是：75℃～85℃，以流量为2～4升/分钟的He作为载气，通入烧结炉的D2O的质量为0.3～0.9克/分钟。
5、根据权利要求1或2所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是芯棒松散体同位素D-H交换干燥时，烧结炉内通入D2气体60～360分钟，D2的分压为1333帕～4000帕。
6、根据权利要求1或2所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是芯棒松散体同位素D-H交换干燥时，在烧结炉的气体入口处通入重水（D2O）与D2混和气体，具体过程为：用流量为20～30SLPM的He吹扫烧结炉10～20分钟，然后，用流量为3SLPM的He作为载气流经D2O鼓泡器（鼓泡器温度设定在75～85℃），鼓泡器输出气体（含有D2O气体和He）和0.4SLPM的氘气（D2）一起吹扫芯棒松散体60～360分钟，同时20SLPM的He气通过烧结炉。
7、一种低水峰光纤预制件的制造方法，它包括以下步骤：
（1）制备芯棒松散体，
（2）芯棒松散体采用氯气（Cl2）或亚硫酰氯（SOCl2）干燥，
（3）芯棒松散体烧结、拉伸成玻璃体芯棒，
（4）在玻璃体芯棒的外表面包覆二氧化硅包层，形成多孔玻璃预制件，
（5）多孔玻璃预制件干燥，
（6）多孔玻璃预制件烧结成光纤预制件，其特征是在芯棒松散体采用氯气（Cl2）或亚硫酰氯（SOCl2）干燥步骤前先对芯棒松散体进行同位素D-H交换干燥步骤，同位素D-H交换干燥在烧结炉内进行，在烧结炉的气体入口处通入重水（D2O）气体和氘气（D2）中的至少一种，炉内温度保持在1200℃～1300℃，干燥60～360分钟。
8、根据权利要求7所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是芯棒松散体进行同位素D-H交换干燥步骤时，烧结炉的气体入口通入流量为30SLPM的He预先吹扫多孔预制件芯棒大约15分钟，吹扫后，通入重水（D2O）气体达60-180分钟，重水（D2O）气体由重水鼓泡器产生，载气He以3～4升/分钟的流量通过鼓泡器，鼓泡器温度保持在75～85℃，与此同时，20SLPM的He气流通过烧结炉。
9、根据权利要求7所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是芯棒松散体进行同位素D-H交换干燥步骤时，烧结炉内通入D2气体达60～360分钟，D2的分压为1333帕～4000帕。
10、根据权利要求7所述的低水峰光纤预制件的制造方法，其特征是芯棒松散体同位素D-H交换干燥时，先用流量为30SLPM的He吹扫烧结炉15分钟，然后，将3～4L（He）流经D2O鼓泡器（鼓泡器温度保持在75～85℃），从鼓泡器流出的重水气体与氦气的混合气体、0.4SLPM的氘气（D2）同时通入烧结炉，连同20SLPM的He气流，吹扫芯棒松散体60～360分钟。
