《一种变压器及其制作方法和芯片》实施例提供一种变压器及其制作方法和芯片，能够使变压器具有高的Q值，而且结构尺寸小。
《一种变压器及其制作方法和芯片》实施例的技术方案是这样实现的：
一种变压器的制作方法，所述变压器包括初级线圈、次级线圈、第一初级调谐电容和第一次级调谐电容，所述方法包括：
将所述第一初级调谐电容和/或所述第一次级调谐电容排布在所述初级线圈和所述次级线圈所围成的区域中；其中所述第一初级调谐电容包括一个以上的第二初级调谐电容，所述第一次级调谐电容包括一个以上的第二次级调谐电容；并联连接一个以上的所述第二初级调谐电容，和并联连接一个以上的所述第二次级调谐电容；一个以上的所述第二初级调谐电容及其连线、和/或一个以上的所述第二次级调谐电容及其之间的连线构成一个局部屏蔽网络或一个局部屏蔽网络的其中一部分。
优选地，所述将所述第一初级调谐电容和/或所述第一次级调谐电容排布在所述初级线圈和所述次级线圈所围成的区域中，包括：
将所有的或部分的一个以上的所述第二初级调谐电容和/或一个以上的所述第二次级调谐电容排布在所述初级线圈和所述次级线圈所围成的空白区域中或所述空白区域的正下方。
优选地，所述变压器包括片上无源变压器或片上变压器式巴伦。
优选地，所述一个以上的所述第二初级调谐电容的电容值完全相等或不完全相等；
和/或，所述一个以上的所述第二次级调谐电容的电容值完全相等或不完全相等。
优选地，所述方法还包括：
所述初级线圈和所述次级线圈采用同层金属对称互绕在同一块衬底上，且金属线之间交叉的地方采用上层金属或下层金属过渡。
一种变压器，所述变压器包括：初级线圈、次级线圈、第一初级调谐电容和第一次级调谐电容；其中，所述第一初级调谐电容包括并联连接的一个以上的第二初级调谐电容，所述第一次级调谐电容包括并联连接的一个以上的第二次级调谐电容；
所述第一初级调谐电容和/或所述第一次级调谐电容排布在所述初级线圈和所述次级线圈所围成的区域中；且一个以上的所述第二初级调谐电容及其之间的连线、和/或一个以上的所述第二次级调谐电容及其之间的连线构成一个局部屏蔽网络或一个局部屏蔽网络的其中一部分。
优选地，所述初级线圈和所述次级线圈采用同层金属对称互绕在同一块衬底上，且金属线之间交叉的地方采用上层金属或下层金属过渡。
优选地，所有的或部分的所述第二初级调谐电容、和/或所有的或部分的所述第二次级调谐电容排布在所述初级线圈和所述次级线圈所围成的空白区域或所述空白区域的正下方的正下方。
优选地，所述一个以上的所述第二初级调谐电容的电容值完全相等或不完全相等；
和/或，所述一个以上的所述第二次级调谐电容的电容值完全相等或不完全相等。
一种芯片，所述芯片包括上述任一项所述的变压器。
《一种变压器及其制作方法和芯片》实施例一种变压器及其制作方法和芯片，将所述第一初级调谐电容和/或所述第一次级调谐电容排布在所述初级线圈和所述次级线圈所围成的区域中；其中所述第一初级调谐电容包括一个以上的第二初级调谐电容，所述第一次级调谐电容包括一个以上的第二次级调谐电容；并联连接一个以上的所述第二初级调谐电容，和并联连接一个以上的所述第二次级调谐电容；一个以上的所述第二初级调谐电容及其连线、和/或一个以上的所述第二次级调谐电容及其之间的连线构成一个局部屏蔽网络或一个局部屏蔽网络的其中一部分；如此，能够使变压器具有高的Q值，而且结构尺寸小。
