造价通

反馈
取消

热门搜词

造价通

取消 发送 反馈意见

抗辐射加固计算机辐射效应

2022/07/16193 作者:佚名
导读:主要是: (1)辐射损伤效应。包括位移效应、电离效应和瞬时辐射效应,可导致半导体电路性能衰退、门锁或烧毁; (2)单粒子事件效应,包括使存储器翻转的单粒子翻转事件、线性电路误输出信号的单粒子瞬变效应和在CMOS电路中产生的门锁效应,还包括可使场效应管发生单粒子烧毁及门断裂事件 。

主要是:

(1)辐射损伤效应。包括位移效应、电离效应和瞬时辐射效应,可导致半导体电路性能衰退、门锁或烧毁;

(2)单粒子事件效应,包括使存储器翻转的单粒子翻转事件、线性电路误输出信号的单粒子瞬变效应和在CMOS电路中产生的门锁效应,还包括可使场效应管发生单粒子烧毁及门断裂事件 。

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
关注微信公众号造价通(zjtcn_Largedata),获取建设行业第一手资讯

热门推荐

相关阅读