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氢促进腐蚀及应力腐蚀的半导体膜模型项目摘要

2022/07/16135 作者:佚名
导读:研究了氢对金属点蚀敏感性、钝化膜形成、性能以及半导体性质的影响规律,并建立了相应的理论模型。研究表明,氢吸附会加剧金属表面的不均匀性。氢促进氯离子的吸附,缩短金属点蚀的形核时间和降低点蚀电位,加速点蚀生长速度。氢降低金属的腐蚀电位,促进阳极溶解;氢延迟金属钝化膜的形成;降低反应阻力,导致维钝电流密度随预充氢电流密度的增加而增大;降低了膜在纳米尺度上的结晶度,使膜的非晶化更为明显。氢会提高纯铁和不锈

研究了氢对金属点蚀敏感性、钝化膜形成、性能以及半导体性质的影响规律,并建立了相应的理论模型。研究表明,氢吸附会加剧金属表面的不均匀性。氢促进氯离子的吸附,缩短金属点蚀的形核时间和降低点蚀电位,加速点蚀生长速度。氢降低金属的腐蚀电位,促进阳极溶解;氢延迟金属钝化膜的形成;降低反应阻力,导致维钝电流密度随预充氢电流密度的增加而增大;降低了膜在纳米尺度上的结晶度,使膜的非晶化更为明显。氢会提高纯铁和不锈钢钝化膜的电容和掺杂浓度,并降低平带电位。升高钝化膜的光电流峰值,降低钝化膜的光学禁带宽度。氢在钝化膜的基体的界面上富集,使得钝化膜强度和基体的结合力降低,导致钝化膜易于破裂,应力腐蚀敏感性增加。

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