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点阵掺杂多层膜结构中声子输运机理的研究中文摘要

2022/07/16108 作者:佚名
导读:采用量子点阵植入多层膜InGaAs/InGaAsP结构,建立Lennod-Jones (L-J)作用势分子动力学模型,定量研究不同尺度量子点对整个布里渊声子散射强度的影响,讨论声子在粗糙界面、曲线界面的穿透率;采用热反射法测量量子点阵植入的多层膜结构的导热系数,结合分子动力学模型,建立较为精确地描述颗粒尺度对声子散射强度的关系式,完善瑞利杂质散射模型;在理论研究基础上,优化多层膜厚度、点阵特征尺寸

采用量子点阵植入多层膜InGaAs/InGaAsP结构,建立Lennod-Jones (L-J)作用势分子动力学模型,定量研究不同尺度量子点对整个布里渊声子散射强度的影响,讨论声子在粗糙界面、曲线界面的穿透率;采用热反射法测量量子点阵植入的多层膜结构的导热系数,结合分子动力学模型,建立较为精确地描述颗粒尺度对声子散射强度的关系式,完善瑞利杂质散射模型;在理论研究基础上,优化多层膜厚度、点阵特征尺寸,进一步降低多层膜的导热系数,研究目标是使得多层膜的导热系数低于相应合金值。 2100433B

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