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点阵掺杂多层膜结构中声子输运机理的研究中文摘要

2022/07/1687 作者：佚名
导读：采用量子点阵植入多层膜InGaAs/InGaAsP结构，建立Lennod-Jones (L-J)作用势分子动力学模型，定量研究不同尺度量子点对整个布里渊声子散射强度的影响，讨论声子在粗糙界面、曲线界面的穿透率；采用热反射法测量量子点阵植入的多层膜结构的导热系数，结合分子动力学模型，建立较为精确地描述颗粒尺度对声子散射强度的关系式，完善瑞利杂质散射模型；在理论研究基础上，优化多层膜厚度、点阵特征尺寸

采用量子点阵植入多层膜InGaAs/InGaAsP结构，建立Lennod-Jones (L-J)作用势分子动力学模型，定量研究不同尺度量子点对整个布里渊声子散射强度的影响，讨论声子在粗糙界面、曲线界面的穿透率；采用热反射法测量量子点阵植入的多层膜结构的导热系数，结合分子动力学模型，建立较为精确地描述颗粒尺度对声子散射强度的关系式，完善瑞利杂质散射模型；在理论研究基础上，优化多层膜厚度、点阵特征尺寸，进一步降低多层膜的导热系数，研究目标是使得多层膜的导热系数低于相应合金值。 2100433B

*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
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