1983年，荷兰Nijimegen大学的Groot 教授对half-Heusle合金NiMnSb进行能带计算后发现其具有一种特殊的新型能带结构，如图1：NiMnSb的多数白旋方向图所示：电子在一个自旋方向上呈现金属性，也就是在费米能级处有电子态的存在；而在另一个自旋方向上呈现半导体性，也就是在费米能级处存在禁带。他们将具有这种特殊能带结构的材料称为半金属（half-metal）材料。这里所指的半金属并不是传统意义上的半金属（semi-metal，如As、Sb、Bi等），传统的半金属是导电电子浓度远低于正常金属的一类物质的统称，因其导电能力介于金属与绝缘体之间而称为半金属。其能带特点是导带与价带之间部分重叠，价带电子在无需热激发的情况下便会流入能量较低的导带底部。而半金属材料是电子结构同时具有金属性与半导体性的特征，这种微观上金属性与半导体性的共存被称为半金属性。
