1)以half-Heusler(半霍伊斯勒)和Heusler(全霍伊斯勒)合金为代表的三元金属化合物:NiMnSb、PtMnSb、FeMnSb等。Half-Heusler半金属铁磁体材料属于面心立方;Heusler半金属铁磁体具有
2)磁性金属氧化物:
3)双钙钛矿化合物:
4)闪锌矿型过渡金属硫族化合物或磷族化合物:VTe,CrSe,CrTe,CrAs,MnBi,CrSb等。研究发现,这类半金属铁磁体的稳定态是NiAs相,闪锌矿相只是它们的亚稳态。三个过渡金属硫系化合物CrTe、CrSe和VTe的闪锌矿结构相是优质半金属铁磁体,不仅具有很宽的半金属能隙,相对于基态相的总能还不高,大大低于闪锌矿结构的过渡金属V族化合物的相对总能,同时,其结构稳定性明显优于己经较好地合成出来的CrAs闪锌矿结构薄膜(最大约5个单胞层厚)。很宽的半金属能隙意味着可能在较高温度下得到高自旋极化率,这已被德国Kübler教授的最新计算所证明:相对总能低并且结构稳定性好,使得足够厚度(约5至50个单胞层)的薄膜材料或尺度足够大的纳米结构易于通过外延生长技术获得。这些优异特性使得这些材料将很可能在纳米尺度的自旋电子学器件中得到实际应用。 2100433B