主要包括：

（1）半导体硅材料缺陷工程：系统研究晶体生长、晶体加工、外延生长和特种掺杂、金属吸杂、缺陷控制等技术，开发超大规模集成电路用直拉硅单晶材料以及其它新型半导体材料，建立集成电路用硅材料产业化示范线及相应半导体材料工程研究基地。

（2）表面镀膜技术：系统研究常压CVD、MOCVD、PCVD等表面镀膜工艺和大面积均匀镀膜技术及装备，开发新型阳光控制镀膜玻璃、低辐射镀膜玻璃、易洁镀膜玻璃、太阳能玻璃、电磁屏蔽玻璃，建立相应的示范生产线、建设功能镀膜玻璃产业化基地。

（3）溶胶-凝胶改性技术：研究溶胶-凝胶工艺过程机理、溶胶粒子形成及长大、溶胶精细结构及特性，开发纳米改性电子陶瓷材料及器件、微波介质陶瓷及器件、铁电/铁磁复合材料，以及新型光触媒自洁净材料、纳米改性生物材料、相变储能保温建筑材料，建立相应的示范生产线，建设电子陶瓷及器件产业化基地和建筑节能材料产业化基地。

（4）原位复合结构调控技术：系统研究分子工程、外场诱导调控等无机及无机-有机杂化功能材料原位修饰与结构调控技术，开发有机/无机复合发光材料、无机-有机杂化非线性光学材料、无机-有机杂化固态可调谐染料激光介质、金属-有机框架结构纳米介孔功能材料、相变储能保温建筑材料以及无机-有机杂化光催化材料，建立相应的示范生产线，建设相应的工程化基地。

中心建设总投资3500万元，建筑面积5500m2，人员95人。其中，基本建设费用总投入约2300万元，包括实验室用房1700m2，中试基地与办公用房3800 m2及相关的装置、装备和研究设备；产品研发与工程化研究开发费用总投入1100万元，主要用于项目科研开发、工程应用和中试线运行等。2100433B