导体的损耗与尺寸成反比，内导体如此，外导体也如此。事实上，尺寸d和D两者并不是独立的，因为对于给定的有效介电常数，是D/d决定同轴电缆的阻
若内外导体均系同一种金属，则D/d的最佳值约为3.60若内外导体为不同的金属，例如内导体为铜，外导体为铝，则D/d的最佳值约为3.8。对于高频同轴电缆来说，D/d通常接近最佳值，阻抗为75。的同轴电缆，有效介电常数约为1.1。
当D/d为最佳值时，衰减的主要项中，内导体的影响差不多占80%，而外导体的影响仅有20%左右。
在任何频率下有效介电常数的任何减少都会引起衰减变小。
基于这一原因，低衰减同轴电缆通常都采用空气一介质复合绝缘，其中空气占很大比例。此外，绝缘体的几何位置也要合理安排，要使它对合成有效介电常数的影响尽量小。在这方面必须注意一点，即绝缘的主体部分离内导体愈远，介电常数就愈小。
作为例子，我们来比较两种尺寸相同的2.6/10mm同轴电缆:一种用空气绝缘，介电常数为1.16，另一种用实芯绝缘，介电常数为2.30。各种频率下，两者衰减的差异大约达41%左右。在实芯绝缘的情况下，作为研究的一例，其阻抗大约为50Ω，为了使阻抗达到通常的75Ω，就必须减小内导体直径，从而使D/d明显偏离最佳值，这样一来就使衰减额外增加12%左右。
因此，在外导体内径相同、阻抗均为75Ω的情况下，用介质电常数为2.30的实芯绝缘，比用介电常数为1.16的空气绝缘，要使衰减增加58%左右。另外，实芯绝缘的介质损耗角，通常要比空气绝缘的大得多，这也要使衰减再次加大，在高频时这一现象尤为明显。
考虑到内导体对衰减有很大的影响，因此，必须尽可能选择像铜之类导电率高的金属作内导体。相反，由于外导体对衰减的影响要小得多，所以可用铝之类的导电率较低的金属作外导体，而这样做对总的衰减没有多大影响。
高频下，当趋肤效应引起的渗透深度与金属厚度相比可以忽略不计时，外导体的厚度对衰减没有影响。但在低频时，如果趋肤深度与金属厚度在同一数量级，则情况就不同了。
如图《2.6/10mm同轴电缆外导体厚度对衰减畸变的影响》表示2.6/10mm同轴电缆在三种不同的外导体厚度下（0.1、0.15及0.20mm）随频率的变化情况。这一组曲线表明，当频率在几兆赫之内时，外导体的厚度变化对衰减有影响，当频率超过几兆赫之后，这一影响才迅速消失。
