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非晶硅薄膜晶体管简介

2022/07/16159 作者:佚名
导读:非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT--amorphous silicon thin film transistor)沟道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上,所以生产成本低廉,得到了广泛的应用。 中文名称 非晶硅薄膜晶体管 英文名称 α-Si∶H thin film transistor,TFT 定  义 利用氢化非晶硅具有敏感的场效应特性制备的薄膜场效应晶体管。具有很低

非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT--amorphous silicon thin film transistor)沟道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上,所以生产成本低廉,得到了广泛的应用。

中文名称
非晶硅薄膜晶体管
英文名称
α-Si∶H thin film transistor,TFT
定  义
利用氢化非晶硅具有敏感的场效应特性制备的薄膜场效应晶体管。具有很低的关断电流和很高的开关电流比,广泛用于液晶显示屏和平面摄像器件的地址矩阵。
应用学科
材料科学技术(一级学科),半导体材料(二级学科),非晶和微晶半导体材料(三级学科)

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