高分辨纳米加工是22nm节点以下集成电路制造以及人工微纳结构器件研发中的关键技术。以曝光、显影、薄膜沉积、干法刻蚀、湿法剥离为主要工艺的自上而下纳米加工是目前超大规模集成电路制造的主要选择。根据国际半导体技术路线发展图，集成电路的关键尺寸在2020年将达到10nm（几十个原子）左右。然而，当纳米结构的尺寸到10nm以下时，由于各种工艺和物理限制因素，其加工方法将与当前产业界的常规工艺有所区别，而目前研究人员对该尺寸下的关键加工工艺还无系统的研究。本项目前瞻性地对10nm以下图形加工的通用工艺进行研究以得到各种工艺的物理限制因素并探索突破限制的方法，为未来10nm以下技术节点极大规模集成电路制造提供技术积累和工艺选择。主要研究内容包括：（1）10nm以下图形加工的抗蚀剂工艺及其显影行为研究；（2）该尺度下纳米结构力学稳定性对加工分辨率的限制及其相应的解决办法；（3）该尺度下的高分辨图形转移。
