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碳化硅半导体材料特性

2022/07/16228 作者：佚名
导读：碳化硅半导体材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 属W族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿 型两种结晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔点283U}"-，本征电阻率 [L一0.7)i}wm},禁带宽度2.99一42.br}'。电子迁移率 3(10---9(1D}m'-I( V w )，介电常数9.72一10.32。采用艾奇逊 [Acheso耐法合

碳化硅半导体材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 属W族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿 型两种结晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔点283U}"-，本征电阻率 [L一0.7)i}wm},禁带宽度2.99一42.br}'。电子迁移率 3(10---9(1D}m'-I( V w )，介电常数9.72一10.32。采用艾奇逊 [Acheso耐法合成。硅过量时为n型半导体，碳过量时为p }1 半导体。

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