1.一种太阳能电池片热处理工艺，其特征在于，包括：a）从经过印刷烧结后的太阳能电池片中，筛选出转换效率低于18%，且填充因子在70%以上的电池片；b）对筛选出的电池片进行低温退火，以提高所述筛选出的电池片的转换效率，所述低温退火的温度低于正常的烧结温度；c）对经低温退火后的电池片进行分拣测试，筛选出填充因子下降的电池片；d）对步骤c）中筛选出的电池片进行重新烧结，以提高所述电池片的填充因子，所述重新烧结的温度与正常烧结温度相同；e）对经重新烧结的电池片进行分拣测试，筛选出转换效率低于18%的电池片，返回步骤b），直至筛选出的大部分或全部电池片的转换效率均高于18%，且填充因子在70%以上。

2.根据权利要求1所述的热处理工艺，其特征在于，所述电池片的基底材料为单晶硅，所述筛选出的电池片为因单晶硅拉制过程中引入的缺陷导致的转换效率低的太阳能电池片。

3.根据权利要求2所述的热处理工艺，在印刷烧结之前还包括：电池片表面的制绒过程、扩散制结过程和周边等离子刻蚀过程，其特征在于，所述扩散制结过程为，在电池片的正面进行扩散制结，在电池片的背面扩散制作背场。

4.根据权利要求3所述的热处理工艺，进行周边等离子刻蚀过程后还包括，沉积减反射膜过程和印刷电极过程，其特征在于，所述沉积减反射膜过程为，在电池片的正面和背面先后均进行减反射膜的沉积。

5.根据权利要求4所述的热处理工艺，其特征在于，制作所述电池片的基底材料为N型单晶硅。

6.根据权利要求5所述的热处理工艺，其特征在于，所述低温退火的时间为30秒-4分钟。

7.根据权利要求6所述的热处理工艺，其特征在于，所述低温退火的温度为250摄氏度-550摄氏度。

8.根据权利要求7所述的热处理工艺，其特征在于，所述减反射膜为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的热处理工艺，其特征在于，所述低温退火过程可在非氧化性气氛下进行。