所述体效应是由量在所述阈值电压的变化近似等于在变更，由于人体影响阈值电压（没有连接到源极时），因此可以将其视为第二个门，有时也称为“后门”。身体效应有时被称为“后门效应”。
对于增强模式，使用以下等式根据Shichman-Hodges模型（对于非常老的技术来说是精确的）来计算对阈值电压的nMOS MOSFET体效应。
其中 是衬底偏压存在时的阈值电压，是源到体的衬底偏置，是表面的潜力，和是零衬底偏压的阈值电压，是身体效果参数， 是氧化物厚度，是氧化物介电常数，是硅的介电常数， 是一个兴奋剂浓度，是基本电荷 。
