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碳化硅单晶抛光片
碳化硅专利分析-单晶,晶片和外延片制造研究报告
北京佐思信息咨询有限责任公司 Beijing OKOKOK Information Consulting Co.,Ltd 北京佐思 www.okokok.com.cn 地址：北京市海淀区长远天地 C座 3-502 #, 100080 碳化硅专利分析 -单晶，晶片和外延片制造研究报告 ——SiC Patent Analysis single crystal, wafer and epiwafer manufacturing 1772 patent families to support a $80M business in 2012 ⋯ 1772 PATENT FAMILIES TO SUPPORT A $80M BUSINESS IN 2012⋯ Despite a cumulative raw wafers + epi wafers market that won’t exceed
超薄硅双面抛光片抛光工艺技术
超薄硅双面抛光片抛光工艺技术
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。