CMOS-IC
- (Metal-Oxide-Semiconductor)MOS晶体管，分别叫PMOS管和NMOS管。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。
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双列直插(DIP封装)
扁平封装(PLCC封装)
微功耗-CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
高噪声容限-CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围-CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅-CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑"0"为VSS。
高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。
低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
宽工作温度范围-陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为
- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS电路为 – 40 ℃ ~ 85 ℃。
为什么CMOS电路的直流功耗几近于零?
JEDEC最低标准是电子工业协会(EIA)联合电子器件工程委员会(JEDEC)主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围:
电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)
直流输入电流IIN 士10 mA(DC)
输入电压 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)
器件功耗 PD 200 mw
工作温度范围 T -55~125(陶封)，-40~85(塑封) ℃
存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ℃
所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。
在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。
避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。
CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容(≥500PF)时等效于输出短路的情况。
CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。
双列直插（DIP封装）
扁平封装（PLCC封装）
微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑“0”为VSS。
高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。
低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为
- 55℃~ 125 ℃；塑封的CMOS电路为 – 40 ℃ ~ 85 ℃。
为什么CMOS电路的直流功耗几近于零？
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CCD,是英文Charge Coupled Device 即电荷耦合器件的缩写,它是一种特殊半导体器件 ...
JEDEC最低标准是电子工业协会（EIA）联合电子器件工程委员会（JEDEC）主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围：
电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)
直流输入电流IIN 士10 mA(DC)
输入电压 VI VSS ≤VI ≤ VDD 0.5 V(DC)
器件功耗 PD 200 mw
工作温度范围 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封) ℃
存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ℃
所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。
在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。
避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。
CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500PF）时等效于输出短路的情况。
CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。2100433B
最新5-6CMOS电路汇总
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CMOS光接收机前端放大电路
CMOS光接收机前端放大电路
利用SMIC 0.18μmCMOS工艺设计了光接收机前端放大电路.在前置放大器中,设计了一种高增益有源反馈跨阻放大器,并且可以使输出共模电平在较大范围内调解.在限幅放大器中,通过在改进的Cherry-Hooper结构里引入有源电感负反馈来进一步扩展带宽.整个前端放大电路具有较高的灵敏度和较宽的输入动态范围.Hspice仿真结果表明该电路具有119dB的中频跨阻增益,2.02GHz的带宽,对于输入电流幅度从1.4μA到170μA变化时,50Ω负载线上的输出电压限幅在320mV(V_(pp)),输出眼图稳定清晰.核心电路静态功耗为45.431mW.
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。
目前使用最最广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点是什么?首先CMOS晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的TTL器件，而且速度和TTL器件相当，所以CMOS取代TTL是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有PLD器件都是采用CMOS技术，这一点就说明了CMOS的大行其道。
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构 成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个(电位)上拉电阻R，R的取值一般选用2~100KΩ。
MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构 成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC
cmos晶体管概念