选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
批准号 |
60076002 |
项目名称 |
半导体材料表面超精细抛光新技术研究 |
项目类别 |
面上项目 |
申请代码 |
F0401 |
项目负责人 |
孙建军 |
负责人职称 |
教授 |
依托单位 |
厦门大学 |
研究期限 |
2001-01-01 至 2003-12-31 |
支持经费 |
17(万元) |
拟利用约束刻蚀剂层(CELT)的原理,研究出对半导体材料表面进行超精细抛光的新方法和新ひ"sup--normal" data-sup="1" data-ctrmap=":1,"> [1]
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等,以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体...
半导体材料的特性:半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电,室温时电阻率一般在10-5~107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大;若掺入活性...
半导体材料就是所谓的单晶硅。单晶硅就是晶体类型唯一的硅晶体。我们平时遇到的物体比如铁块,看上去方方正正的,但是微观上它是多种晶体类型混在一起的。生活中的晶体一般都是多晶型的。而制作半导体器件用的硅应为...
宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用
第 30 卷第 3 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 30 , No. 3 2 0 0 2 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J une , 2 00 2 综合评述 宽带隙半导体材料 SiC研究进展及其应用 王玉霞,何海平,汤洪高 (中国科学技术大学材料科学与工程系 , 合肥 230026 ) 摘 要 :SiC 是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 , 具有极为优良的物理化学性能 , 应用前景十分广阔 . 本文综合介绍 SiC的基本特性 , 材 料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) , SiC基器件的研发现状 , 应用领域及发展前景 . 同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法 在 Si衬底上制备出单晶 4H - SiC薄膜的研究结果 . 关键词 : 碳化硅 ; 体单晶生长 ; 薄膜 ; 器件 中图分类号 : TN
半导体材料7半导体照明工程材料
半导体材料7半导体照明工程材料
表面抛光是利用机械、化学或电化学作用,在抛光机或砂带磨床进行的光整合加工方法。
加工时,抛光膏涂在高速旋转的软弹性抛光轮或砂带上,利用剧烈摩擦,产生高温,使加工面上形成极薄溶流层,即可填平加工面上的微观凹凸不平,获得光亮的镜面。表面抛光适于镀层表面修饰。
利用机械、化学或电化学的作用,使工件表面粗糙度降低,以获得光亮、平整表面的加工方法。
机械抛光是利用抛光轮与抛光膏等精细磨料,对管件外表面进行轻微切削和研磨,除去管件表面的细微不平,以达到整平表面、提高光洁度的目的。抛光并不切削金属,只是抛去表面氧化膜。
(1)把抛光轮的圆周速度调节到20m/s~30m/s(形状简单,表面较硬的转速可大些)。
(2)根据被抛管件的材质,选用合适的抛光膏。抛光膏由粘合剂与磨料组成,抛光时与管件磨擦所产生的热量,使抛光膏的粘合剂熔化,起到抛光作用。
(3)把管件压向抛光轮适当部位,其用力大小、抛光时间长短、手的动作,全凭抛光人员的实践经验。
抛光用于镀前表面预处理,也用于镀后精加工,后者抛光耗损占镀层质量的5%~20%。
(1)抛光轮的种类见图5。
(2)抛光膏的组成及应用范围见图6。
加工时,抛光膏涂在高速旋转的软弹性抛光轮或砂带上,利用剧烈摩擦,产生高温,使加工面上形成极薄溶流层,即可填平加工面上的微观凹凸不平,获得光亮的镜面。表面抛光适于镀层表面修饰。
利用机械、化学或电化学的作用,使工件表面粗糙度降低,以获得光亮、平整表面的加工方法。