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半导体电阻率晶向

半导体电阻率晶向

电阻率与晶向有关。

对于各向异性的晶体,电导率是一个二阶张量,共有27个分量。

特别的,对于Si之类的具有立方对称性的晶体,电导率可以简化为一个标量的常数(其他二阶张量的物理量都是如此)。

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半导体电阻率造价信息

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测温电阻体

  • PT100
  • 13%
  • 深圳市云敏仪表有限公司
  • 2022-12-07
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电阻

  • 品种:绕组电阻器;标称值:0.56Ω;电阻器材料:铁铬铝合金;规格型号:ZX12-0.56;额定功率:0-0
  • 人民电器
  • 13%
  • 人民电器集团有限公司山西办事处
  • 2022-12-07
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电阻

  • 品种:绕组电阻器;标称值:0.4Ω;电阻器材料:铁铬铝合金;规格型号:ZX12-0.40;额定功率:0-0
  • 人民电器
  • 13%
  • 人民电器集团有限公司山西办事处
  • 2022-12-07
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电阻

  • 品种:绕组电阻器;标称值:0.2Ω;电阻器材料:铁铬铝合金;规格型号:ZX12-0.20;额定功率:0-0
  • 人民电器
  • 13%
  • 人民电器集团有限公司山西办事处
  • 2022-12-07
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电阻

  • 品种:绕组电阻器;标称值:0-0;电阻器材料:铁铬铝合金;规格型号:RZ54-160L-6/2B;额定功率:0-0
  • 人民电器
  • 13%
  • 人民电器集团有限公司山西办事处
  • 2022-12-07
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绕线电阻

  • 300Ω 15W
  • 韶关市2010年7月信息价
  • 建筑工程
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绕线电阻

  • 300Ω15W
  • 肇庆市2003年3季度信息价
  • 建筑工程
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标准电阻

  • ZX-25
  • 台班
  • 韶关市2010年7月信息价
  • 建筑工程
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10kV小电阻成套装置

  • 干式 接地变容量 420kVA 16Ω
  • 广东2022年2季度信息价
  • 电网工程
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10kV小电阻成套装置

  • 干式接地变容量 420kVA 16Ω
  • 广东2021年4季度信息价
  • 电网工程
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EDI电阻率

  • 3-2820-1电阻率
  • 1台
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-05-20
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电阻率

  • 带表头 0-18MΩ×cm
  • 1套
  • 2
  • 高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-03-10
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电阻率

  • RM220科达
  • 9526个
  • 1
  • 普通
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-11-10
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电阻率

  • BZJ-303A上海
  • 5364个
  • 1
  • 普通
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-03-31
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-10-24
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半导体电阻率决定因素

晶向

电阻率与晶向有关。

对于各向异性的晶体,电导率是一个二阶张量,共有27个分量。

特别的,对于Si之类的具有立方对称性的晶体,电导率可以简化为一个标量的常数(其他二阶张量的物理量都是如此)。

载流子

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ:ρ=1/ nqμ。

对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况,往往采用平均电导率的概念;在不同的扩散浓度分布(例如高斯分布或余误差分布等)情况下,已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线,可供查用。

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半导体电阻率温度关系

决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。

在低温下

由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时电阻率随着温度的升高而下降。

在室温下

由于施主或受主杂质已经完全电离,则载流子浓度不变,但迁移率将随着温度的升高而降低(晶格振动加剧,导致声子散射增强所致),所以电阻率将随着温度的升高而增大。

在高温下

这时本征激发开始起作用,载流子浓度将指数式地很快增大,虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低(晶格振动散射散射越来越强),但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强,所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

本征激发温度

半导体开始本征激发起重要作用的温度,也就是电阻率很快降低的温度,该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度(因为在该温度下,pn结即不再存在);该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关,掺杂浓度越高,因为多数载流子浓度越大,则本征激发起重要作用的温度--半导体器件的最高工作温度也就越高。所以,若要求半导体器件的温度稳定性越高,其掺杂浓度就应该越大。

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半导体电阻率晶向常见问题

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半导体电阻率载流子

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ:ρ=1/ nqμ。

对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况,往往采用平均电导率的概念;在不同的扩散浓度分布(例如高斯分布或余误差分布等)情况下,已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线,可供查用。

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半导体电阻率温度

决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。

在低温下

由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时电阻率随着温度的升高而下降。

在室温下

由于施主或受主杂质已经完全电离,则载流子浓度不变,但迁移率将随着温度的升高而降低(晶格振动加剧,导致声子散射增强所致),所以电阻率将随着温度的升高而增大。

在高温下

这时本征激发开始起作用,载流子浓度将指数式地很快增大,虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低(晶格振动散射散射越来越强),但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强,所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

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半导体电阻率本征激发温度

半导体开始本征激发起重要作用的温度,也就是电阻率很快降低的温度,该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度(因为在该温度下,pn结即不再存在);该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关,掺杂浓度越高,因为多数载流子浓度越大,则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作温度也就越高。所以,若要求半导体器件的温度稳定性越高,其掺杂浓度就应该越大。2100433B

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半导体电阻率晶向文献

试论电缆导体电阻和电阻率误差相关问题 试论电缆导体电阻和电阻率误差相关问题

试论电缆导体电阻和电阻率误差相关问题

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大小:99KB

页数: 1页

在分析电缆的电阻和电阻率基础上,探讨了标称电阻率和实测电阻率相关误差问题,并提出相关缩小检测误差的方法,并论述了如何选择验收考核,希望对于电缆导体电阻和电阻率测量具有一定帮助。

电线绝缘电阻及导体电阻检测 电线绝缘电阻及导体电阻检测

电线绝缘电阻及导体电阻检测

格式:pdf

大小:99KB

页数: 6页

电线绝缘电阻及导体电阻检测 (广东产品质量监督检验研究院, 广州 510330) 摘 要:导体电阻及绝缘电阻是电线的电性能检测 重要项目之一,是考核导体、绝缘材料电气绝缘性能 的重要指标,通过测定绝缘电阻不仅可以发现生产过 程中的工艺缺陷,也能考核材料的好坏。同时根据实 验室要求,对测试绝缘电阻的不确定度进行研究。 关键词:电线绝缘电阻 ;绝缘电阻 ;测试不确定度 ; 导体电阻 0 引言 电线电缆是重要工业产品, 现代社会离不开电线 电缆的存在,电线电缆不仅用于电力的输送,同时也 能输送信号。电线的结构比较简单,主要是导体、绝 缘层、护套层、内衬层或隔离层以及铠装层构成,对 于电线来说,绝缘及护套质量的好坏,对于使用的寿 命及安全有至关重要的意义。 其中绝缘及护套材料的电气性能是重要的质量 指标,绝缘性能越好,电线能承受的电压则越高,越 不容易泄露电流。因此本文通过标准的检测方法,及 检验

温度计量目录

第1章 温度与温标

第一节 温度的基本概念

一、热力学基础

二、统计概念

第二节 温标的建立

第三节 温标的发展

一、经验温标

二、热力学温标

三、国际温标

第四节 1990年国际温标(ITS-90)综述

一、定义固定点

二、内插仪器和内插方程

习题一

第2章 电阻温度计

第一节 测温原理

一、导体电阻率

二、半导体电阻率

第二节 铂电阻温度计

一、结构与分类

二、技术性能

三、内插方法

第三节 其他金属电阻温度计

一、铜电阻温度计(CuRT)

二、铟电阻温度计(InRT)

三、铑-铁电阻温度计(RIRT)

四、铂-钻电阻温度计(PCRT)

第四节 半导体电阻温度计

一、锗电阻流量计计(GeRT)

二、碳电阻温度计(CRT)

三、碳玻璃电阻温度计(CaRT)

四、热敏电阻温度计

第五节 使用电阻温度计的注意事项

一、震动与应力

二、淬火与氧化效应

三、磁阻效应

四、自热效应

五、压力的影响

六、引线电阻的影响

七、热电势的影响

八、漏热误差

九、迟滞

十、绝缘不良的影响

十一、环境温度的影响

十二、计算W(T)时的正确取值

第六节 测量电路

一、单电桥法

二、双电桥法

三、电位差计法

四、不平衡电桥法

第七节 检定与分度

一、定点法

二、比较法

习题二

第3章 膨胀式温度计

第4章 热电偶

第5章 辐射测温法

第6章 常用测试技术

参考文献

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