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①电路中在电动势的驱动下,确实存在电荷在电路中流动,并因此引起电阻的发热。而磁路中磁通是伴随着电流存在的。对于恒定电流,在磁导体中,并没有物质或能量在流动,因此不会在磁导体中产生损耗。即使在交变磁场中,磁导体的损耗也不是磁通“流通”产生的。
②电路中电流限定在铜导线和其他导电元件内,这些元件的电导率高,比电路的周围材料的电导率一般高1012倍以上。由于没有磁绝缘材料,周围介质的磁导率只比组成磁路材料的磁导率低几个数量级。
③导体的电导率与导体流过电流无关,而磁路中磁导率是与磁通密度有关的非线性参数。
④由于有散磁通存在,即使均匀绕制,也不能做到全耦合,漏磁通一般很难用分析方法求得,通常采用经验公式计算。
⑤磁场较复杂,交流激励的磁场在其周围导体中产生涡流效应,磁路计算是近似的。
磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义:是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时,由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用,产生了磁阻效应。
一段磁路的磁位差和磁通量的比值。磁阻由该磁路的几何形状、尺寸、材料的磁特性等因素决定。在国际单位制(SI)中,磁阻的单位是每亨[利](/H)。
图示一段磁路。它有均匀长方形截面,磁感应线和截面垂直。令截面上的磁通量是Φ,磁路两端的磁位差是Um,则这段磁路的磁阻Rm定义为
上式也称作磁路中的欧姆定律。若图示磁路由同一种材料制成,磁阻Rm也可用下式计算
其中A、l分别是该段磁路的截面积和长度(见图);μ是磁路材料的磁导率。如果材料是非铁磁物质,一般认为μ等于真空磁导率μ0,是常值,由上式可方便地计算磁阻。如果材料是铁磁物质,μ不是常数,一般不计算磁阻;磁阻概念只在作定性分析时使用。
两段磁路串联时,总磁阻Rm是每段磁路的磁阻(Rm1和Rm2)之和,即
磁阻的倒数称作磁导。在SI制中,它的单位是亨利(H)。用Λ代表磁导,磁导的定义式便是
也可用下式计算图示一段磁路的磁导
磁阻测厚仪报价现在一台1150元左右,磁阻测厚仪质量:约250g。使用环境:温度0℃~40℃;相对湿度不大于90%;测量范围:0μm~1200μm。
磁阻法测厚仪是一种用电池供电的便携式测量仪器,可快速无损地测量导磁材料表面上非导磁覆盖层厚度。其 由于集成电路和微处理器 的应用,使本仪器具有操作简单、使用方便、稳定性好、测量...
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设永磁体的总磁通为Φ,在空隙处的有用磁通和漏磁通分别为ΦU和ΦI,Φ=ΦUΦI。它们都受到磁通势F的驱动。如用电路中的电流和电压相对照,Φ相当电流,F相当电压,而F/ΦI相当损耗电阻,即磁路中的磁阻。
在磁路设计中,降低漏磁是提高磁效率的关键。
磁阻就是磁通通过磁路时所受到的阻碍作用,用Rm表示。磁路中磁阻的大小与磁路的长度l成正比,与磁路的横截面积S成反比,并与组成磁路的材料性质有关,且Rm=l/(μS)。
μ为磁导率,单位H/m,长度l和截面积S的单位分别为m和m2。因此,磁阻Rm的单位为1/亨(1H-1)。由于磁导率μ不是常数,所以Rm也不是常数。
若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁阻效应;若外加磁场与外加电场平行,称为纵向磁阻效应。一般情况下,载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关,则纵向磁感强度不引起载流子偏移,因而无纵向磁阻效应。
磁阻效应主要分为:常磁阻,巨磁阻,超巨磁阻,异向磁阻,穿隧磁阻效应等
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)
对所有非磁性金属而言,由于在磁场中受到洛伦兹力的影响,传导电子在行进中会偏折,使得路径变成沿曲线前进,如此将使电子行进路径长度增加,使电子碰撞机率增大,进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森,即后来的开尔文爵士发现,但是在一般材料中,电阻的变化通常小于5%,这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)
所谓巨磁阻效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射最强,材料的电阻最大。
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)
超巨磁阻效应(也称庞磁阻效应)存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同,而且往往大上许多,所以被称为“超巨磁阻”。 如同巨磁阻效应(GMR),超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过,由于其相变温度较低,不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性,因此离实际应用尚需一些努力。
异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)
有些材料中磁阻的变化,与磁场和电流间夹角有关,称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性,可用来精确测量磁场。
穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR)
穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中,其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现;室温穿隧磁阻效应则于1995年,由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。
开关磁阻电机调速系统设计论文简介
开关磁阻电机调速系统设计论文简介 开关磁阻电动机调速系统( Switched Reluctnce Drive,简称 SRD)是由开关磁阻电 动机、电力电子开关电路及驱动控制部分组成的高性能调速系统。开关磁阻电机具有结 构简单坚固、成本低、容错能力强、调速范围宽、低速转矩大、起动电流小、转速精度 高、耐高温、可频繁起动制动等优点,又在高度发展的电力电子和微机控制技术的支持 下获得了良好的可控性能。因此,开关磁阻电机在驱动调速领域得到了广泛的应用。 本文首先介绍了课题研究背景和意义。给出了开关磁阻电机控制系统的组成、运行 原理和控制方式。给出了开关磁阻电机的控制策略。在 Matlab/Simulink 交互式仿真集 成环境下,对开关磁阻控制系统进行了建模、仿真及分析。接着,给出了开关磁阻控制 系统的硬件、软件设计方案。主要包括:DSP TMS320LF2407最小系统、位置检测电路、 电流检测
开关磁阻电机调速系统仿真设计
开关磁阻电机调速系统仿真设计 摘要:开关磁阻电机( SRM)的模型是进行 SRM 的仿真和性能 预测、控制算法设计等研究的基础。该项目所用 500?W 电机模型是 在 MATLAB 平台下基于 SRM 的物理特性所建立的 SRM 查找表模 型,并基于该模型,建立了 SRM 仿真系统。 关键词:开关磁阻电机模型 仿真系统 SRM 1 开关磁阻电机的建模问题 开关磁阻电机的非线性使其性能的精确分析和计算较为困难。 由 于 SRM 电机的定、转子采用双凸极结构,电动机在运行时其定、转 子极身存在着显著的边缘效应和高度局部饱和, 从而引起了整个磁路 的高度非线性,其每相绕组的电感是电流和电动机转子位置角的非线 性函数,很难准确建立 SRM 电机的非线性电感模型,因此如何建立 比较精确的 SRM 电机的数学模型,是国内外广大学者一直研究的问 题。 2 SRM 模型数据的获取 目前,关于 SRM 电
磁阻,是一个与电路中的电阻类似的概念。电流总是沿着电阻最小的路径前进;磁通量总是沿着磁阻最小的路径前进。磁阻与电阻一样,都是一个标量。
磁阻效应是指电阻在磁场中增加的现象。磁阻效应在半导体中尤为显著。效应的大小通常用电阻的改变量和电阻本身的比值来量度:
在磁场中,由于Lorentz力的作用,一般来说载流子的运动将发生偏转,这是产生磁阻效应的原因。但在等能面为球形的简单能带的情形下,纵向磁阻为零。因为在此情形下,漂移速度与磁场平行. 磁场的存在并不改变载流子的漂移运动,但横向磁阻一般不为零。在横向磁场下,作漂移运动的载流子同时受到Lorentz力和由Hall电场产生的静电力的作用。这两种力的作用在总体上相互抵消,使横向电流为零。 但在动量弛豫时间依赖于能量的情形下,不同能量的载流子有不同的平均(漂移)速度,所受Lorentz力的大小并不相同。只是某一特定能量(平均速度)的载流子所受Lorentz力与静电力完全抵消。高于和低于此能量(平均速度)者,所受合力分别指向相反的方向,使载流子的漂移运动向两边偏转。 这将导至电流减小,即导至横向磁阻效应。但应指出在简单能带情形下,当弛豫时间与能量无关时,横向磁阻为零。
若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁阻效应;若外加磁场与外加电场平行,称为纵向磁阻效应。一般情况下,载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关,则纵向磁感强度不引起载流子偏移,因而无纵向磁阻效应。
磁阻效应主要分为:常磁阻,巨磁阻,超巨磁阻,异向磁阻,穿隧磁阻效应等
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)
对所有非磁性金属而言,由于在磁场中受到洛伦兹力的影响,传导电子在行进中会偏折,使得路径变成沿曲线前进,如此将使电子行进路径长度增加,使电子碰撞机率增大,进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森,即后来的开尔文爵士发现,但是在一般材料中,电阻的变化通常小于5%,这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)
所谓巨磁阻效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射最强,材料的电阻最大。
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)
超巨磁阻效应(也称庞磁阻效应)存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同,而且往往大上许多,所以被称为“超巨磁阻”。 如同巨磁阻效应(GMR),超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过,由于其相变温度较低,不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性,因此离实际应用尚需一些努力。
异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)
有些材料中磁阻的变化,与磁场和电流间夹角有关,称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性,可用来精确测量磁场。
穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR)
穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中,其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现;室温穿隧磁阻效应则于1995年,由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。