磁阻基本释义

磁阻简介 一段磁路的磁位差和磁通量的比值。磁阻由该磁路的几何形状、尺寸、材料的磁特性等因素决定。在国际单位制(SI)中，磁阻的单位是每亨[利](/H)。 图示一段磁路。它有均匀长方形截面，磁感应线和截面垂直。令截面上的磁通量是Φ，磁路两端的磁位差是Um，则这段磁路的磁阻Rm定义为 上式也称作磁路中的欧姆定律。若图示磁路由同一种材料制成，磁阻R_m也可用下式计算 其中A、l分别是该段磁路的截面积和长度(见图);μ是磁路材料的磁导率。如果材料是非铁磁物质，一般认为μ等于真空磁导率μ₀，是常值，由上式可方便地计算磁阻。如果材料是铁磁物质，μ不是常数，一般不计算磁阻;磁阻概念只在作定性分析时使用。 磁阻串联磁路的磁阻 两段磁路串联时，总磁阻R_m是每段磁路的磁阻(R_m1和Rm₂)之和，即 。例如继电器的衔铁断开时，继电器铁芯组成的磁路中串联有由空气隙构成的一小段磁路，使整个磁路的磁阻增加。 磁阻磁导 磁阻的倒数称作磁导。在SI制中，它的单位是亨利(H)。用Λ代表磁导，磁导的定义式便是 ， 也可用下式计算图示一段磁路的磁导 ，式中各符号的意义同前。

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磁阻造价信息

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磁阻健身车

规格型号：
JS-0087
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
澳瑞特
材料税率：
13%
供应商：
澳瑞特健身器械北京分公司
报价时间：
2022-12-08

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单功能磁阻跑步机

规格型号：
JS-0737
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
澳瑞特
材料税率：
13%
供应商：
澳瑞特健身器械北京分公司
报价时间：
2022-12-08

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磁阻健身车

规格型号：
JS-2207
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
澳瑞特
材料税率：
13%
供应商：
澳瑞特健身器械北京分公司
报价时间：
2022-12-08

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磁阻式健身车

规格型号：
JS-0085
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
澳瑞特
材料税率：
13%
供应商：
澳瑞特健身器械北京分公司
报价时间：
2022-12-08

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稀释剂二(环氧类)

规格型号：
FL8215
价格行情：
材料单位：
kg
材料品牌：
嘉宝莉
材料税率：
13%
供应商：
广州嘉宝莉地坪材料有限公司
报价时间：
2022-12-08

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MSTP光设备STM-4

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2021年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2021年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2020年4季度信息价
所属行业：
电网工程
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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2020年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2019年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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磁阻尼

规格型号：
1200×800×1200
需求量：
1项
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2022-09-21

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场地基本清表

规格型号：
场地基本清表
需求量：
1场地基本清表
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2010-06-30

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磁阻健身车

规格型号：
JS-0087
需求量：
1179套
报价数：
1
材料品牌：
澳瑞特
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-12-23

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磁阻健身车

规格型号：
JS-2207
需求量：
6477套
报价数：
1
材料品牌：
澳瑞特
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-07-12

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通信基本包

规格型号：
3BA00631AA 最大可支持5000个模拟用户或15000个IP用户,含系统基本包.
需求量：
1.0套
报价数：
0
材料品牌：
阿尔卡特AVAYA
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-11-18

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磁阻概念解释

设永磁体的总磁通为Φ，在空隙处的有用磁通和漏磁通分别为Φ_U和Φ_I，Φ=Φ_UΦ_I。它们都受到磁通势F的驱动。如用电路中的电流和电压相对照，Φ相当电流，F相当电压，而F/Φ_I相当损耗电阻，即磁路中的磁阻。 在磁路设计中，降低漏磁是提高磁效率的关键。 磁阻就是磁通通过磁路时所受到的阻碍作用，用R_m表示。磁路中磁阻的大小与磁路的长度l成正比，与磁路的横截面积S成反比，并与组成磁路的材料性质有关，且R_m=l/(μS)。 μ为磁导率，单位H/m，长度l和截面积S的单位分别为m和m²。因此，磁阻R_m的单位为1/亨（1H^－1）。由于磁导率μ不是常数，所以R_m也不是常数。

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磁阻与电阻的区别

①电路中在电动势的驱动下，确实存在电荷在电路中流动，并因此引起电阻的发热。而磁路中磁通是伴随着电流存在的。对于恒定电流，在磁导体中，并没有物质或能量在流动，因此不会在磁导体中产生损耗。即使在交变磁场中，磁导体的损耗也不是磁通“流通”产生的。 ②电路中电流限定在铜导线和其他导电元件内，这些元件的电导率高，比电路的周围材料的电导率一般高10¹²倍以上。由于没有磁绝缘材料，周围介质的磁导率只比组成磁路材料的磁导率低几个数量级。 ③导体的电导率与导体流过电流无关，而磁路中磁导率是与磁通密度有关的非线性参数。 ④由于有散磁通存在，即使均匀绕制，也不能做到全耦合，漏磁通一般很难用分析方法求得，通常采用经验公式计算。 ⑤磁场较复杂，交流激励的磁场在其周围导体中产生涡流效应，磁路计算是近似的。

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磁阻基本释义常见问题

磁阻测厚仪多少钱

磁阻测厚仪报价现在一台1150元左右，磁阻测厚仪质量：约250g。使用环境：温度0℃～40℃；相对湿度不大于90%；测量范围：0μm～1200μm。
基本工资

生产工人平均月工资为1200元，则基本日工资为60元。 1200/20=60
基本箍

次梁加筋的数量还是输入6吧，箍筋在次梁处是加密，原来正常还应该有箍筋。

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磁阻磁阻效应

磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义：是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。

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磁阻分类

若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。 磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等 常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR) 对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。 巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR) 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR) 超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。如同巨磁阻效应(GMR)，超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过，由于其相变温度较低，不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性，因此离实际应用尚需一些努力。 异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR) 有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。 穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR) 穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于1995年，由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。

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磁阻基本释义文献

旅游资源基本类型释义A

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页数： 7页

附录 A (规范性附录 ) 旅游资源基本类型释义旅游资源基本类型释义见表 A.1。表 A.1 旅游资源基本类型释义主类亚类代码基本类型简要说明 A地文景观 AA综合自然旅游地 AAA 山丘型旅游地山地丘陵区内可供观光游览的整体区域或个别区段。 AAB 谷地型旅游地河谷地区内可供观光游览的整体区域或个别区段。 AAC 沙砾石地型旅游地沙漠、戈壁、荒原内可供观光游览的整体区域或个别区段。 AAD 滩地型旅游地缓平滩地内可供观光游览的整体区域或个别区段。 AAE 奇异自然现象发生在地表面一般还没有合理解释的自然界奇特现象。 AAF 自然标志地标志特殊地理、自然区域的地点。 AAG 垂直自然地带山地自然景观及其自然要素（主要是地貌、气候、植被、土壤）随海拔呈递变规律的现象。 AB沉积与构造 ABA 断层景观地层断裂在地表面形成的明显景观

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省旅游资源基本类型释义表

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大小：128KB

页数： 21页

1 / 21 海南省旅游资源基本类型释义表主类亚类基本类型基本类型实体分布地点备注椰林湾沙滩已开发山岳型旅游地五指山旅游区五指山市以山岳森林为主吊罗山旅游区陵水县以山岳森林为主尖峰岭旅游区乐东县以山岳森林为主霸王岭旅游区昌江县以山岳森林为主黎母山旅游区琼中县以山岳森林为主百花岭旅游区琼中县以山岳瀑布为主七仙岭旅游区保亭县以山岳森林温泉为主莺歌岭旅游区琼中县尚待开发太平山旅游区五指山市已开发猕猴岭旅游区东方市尚待开发六连岭旅游区万宁市尚待开发百石岭旅游区琼海市尚待开发谷地型旅游地王下河谷昌江县王下乡以山谷河流森林为主七差河谷昌江县七差乡以山谷温泉溶洞为主沙砾石地型旅游区天涯海角旅游区三亚市以沙滩及巨大砾石为特征棋子湾旅游区昌江

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磁阻电动机磁阻

磁阻，是一个与电路中的电阻类似的概念。电流总是沿着电阻最小的路径前进；磁通量总是沿着磁阻最小的路径前进。磁阻与电阻一样，都是一个标量。

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磁阻电机磁阻效应

磁阻效应是指电阻在磁场中增加的现象。磁阻效应在半导体中尤为显著。效应的大小通常用电阻的改变量和电阻本身的比值来量度： ρ₀和ρ_B分别为无磁场和有磁场时的电阻。一般来说，磁阻的大小与电流所沿的晶向及电流和磁场的相对取向有关。电流和磁场互相垂直时的磁阻称为横向磁阻；而电流与磁场平行时则称为纵向磁阻。 在磁场中，由于Lorentz力的作用，一般来说载流子的运动将发生偏转，这是产生磁阻效应的原因。但在等能面为球形的简单能带的情形下，纵向磁阻为零。因为在此情形下，漂移速度与磁场平行. 磁场的存在并不改变载流子的漂移运动，但横向磁阻一般不为零。在横向磁场下，作漂移运动的载流子同时受到Lorentz力和由Hall电场产生的静电力的作用。这两种力的作用在总体上相互抵消，使横向电流为零。但在动量弛豫时间依赖于能量的情形下，不同能量的载流子有不同的平均(漂移)速度，所受Lorentz力的大小并不相同。只是某一特定能量(平均速度)的载流子所受Lorentz力与静电力完全抵消。高于和低于此能量(平均速度)者，所受合力分别指向相反的方向，使载流子的漂移运动向两边偏转。这将导至电流减小，即导至横向磁阻效应。但应指出在简单能带情形下，当弛豫时间与能量无关时，横向磁阻为零。

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磁阻效应分类

若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。 磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等 常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR) 对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。 巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR) 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR) 超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。如同巨磁阻效应(GMR)，超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过，由于其相变温度较低，不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性，因此离实际应用尚需一些努力。 异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR) 有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。 穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR) 穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于1995年，由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。

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