磁阻造价信息

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新概念金铂漆

规格型号：
品种:内墙艺术涂料;容量:3kg/桶;型号:WTH14;
价格行情：
材料单位：
桶
材料品牌：
三联
材料税率：
13%
供应商：
武汉智源伟业环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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大红新概念通用漆

规格型号：
品种:通用漆;型号:WTH04/F;容量:0.8kg/桶;
价格行情：
材料单位：
桶
材料品牌：
三联
材料税率：
13%
供应商：
武汉智源伟业环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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棕色新概念通用漆

规格型号：
品种:通用漆;型号:WTH10/F;容量:3kg/桶;
价格行情：
材料单位：
桶
材料品牌：
三联
材料税率：
13%
供应商：
武汉智源伟业环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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黑色新概念通用漆

规格型号：
品种:通用漆;型号:WTH01/F;容量:10kg/桶;
价格行情：
材料单位：
桶
材料品牌：
三联
材料税率：
13%
供应商：
武汉智源伟业环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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黑色新概念通用漆

规格型号：
品种:通用漆;型号:WTH01/F;容量:3kg/桶;
价格行情：
材料单位：
桶
材料品牌：
三联
材料税率：
13%
供应商：
武汉智源伟业环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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花王健康概念漆

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
茂名市2004年5月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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王者之星(深色概念石)

规格型号：
600×600 KPWA6
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
珠海市2011年9月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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王者之星(深色概念石)

规格型号：
800×800 KPWB8
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
珠海市2011年9月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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王者之星(浅色概念石)

规格型号：
600×600 KPWB6
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
珠海市2011年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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王者之星(浅色概念石)

规格型号：
800×800 KPWA8
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
珠海市2011年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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定额解释

规格型号：
定额解释
需求量：
1定额解释
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2009-11-12

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磁阻尼

规格型号：
1200×800×1200
需求量：
1项
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2022-09-21

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磁阻健身车

规格型号：
JS-0087
需求量：
1179套
报价数：
1
材料品牌：
澳瑞特
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-12-23

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磁阻健身车

规格型号：
JS-2207
需求量：
6477套
报价数：
1
材料品牌：
澳瑞特
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-07-12

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科迪概念台盆

规格型号：
2000-2
需求量：
1863套
报价数：
3
材料品牌：
帝王
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-11-28

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磁阻基本释义

磁阻简介 一段磁路的磁位差和磁通量的比值。磁阻由该磁路的几何形状、尺寸、材料的磁特性等因素决定。在国际单位制(SI)中，磁阻的单位是每亨[利](/H)。 图示一段磁路。它有均匀长方形截面，磁感应线和截面垂直。令截面上的磁通量是Φ，磁路两端的磁位差是Um，则这段磁路的磁阻Rm定义为 上式也称作磁路中的欧姆定律。若图示磁路由同一种材料制成，磁阻R_m也可用下式计算 其中A、l分别是该段磁路的截面积和长度(见图);μ是磁路材料的磁导率。如果材料是非铁磁物质，一般认为μ等于真空磁导率μ₀，是常值，由上式可方便地计算磁阻。如果材料是铁磁物质，μ不是常数，一般不计算磁阻;磁阻概念只在作定性分析时使用。 磁阻串联磁路的磁阻 两段磁路串联时，总磁阻R_m是每段磁路的磁阻(R_m1和Rm₂)之和，即 。例如继电器的衔铁断开时，继电器铁芯组成的磁路中串联有由空气隙构成的一小段磁路，使整个磁路的磁阻增加。 磁阻磁导 磁阻的倒数称作磁导。在SI制中，它的单位是亨利(H)。用Λ代表磁导，磁导的定义式便是 ， 也可用下式计算图示一段磁路的磁导 ，式中各符号的意义同前。

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磁阻与电阻的区别

①电路中在电动势的驱动下，确实存在电荷在电路中流动，并因此引起电阻的发热。而磁路中磁通是伴随着电流存在的。对于恒定电流，在磁导体中，并没有物质或能量在流动，因此不会在磁导体中产生损耗。即使在交变磁场中，磁导体的损耗也不是磁通“流通”产生的。 ②电路中电流限定在铜导线和其他导电元件内，这些元件的电导率高，比电路的周围材料的电导率一般高10¹²倍以上。由于没有磁绝缘材料，周围介质的磁导率只比组成磁路材料的磁导率低几个数量级。 ③导体的电导率与导体流过电流无关，而磁路中磁导率是与磁通密度有关的非线性参数。 ④由于有散磁通存在，即使均匀绕制，也不能做到全耦合，漏磁通一般很难用分析方法求得，通常采用经验公式计算。 ⑤磁场较复杂，交流激励的磁场在其周围导体中产生涡流效应，磁路计算是近似的。

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磁阻概念解释常见问题

磁阻测厚仪多少钱

磁阻测厚仪报价现在一台1150元左右，磁阻测厚仪质量：约250g。使用环境：温度0℃～40℃；相对湿度不大于90%；测量范围：0μm～1200μm。
磁阻测厚仪报价是多少？

磁阻法测厚仪是一种用电池供电的便携式测量仪器，可快速无损地测量导磁材料表面上非导磁覆盖层厚度。其由于集成电路和微处理器的应用，使本仪器具有操作简单、使用方便、稳定性好、测量...

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磁阻磁阻效应

磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义：是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。

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磁阻分类

若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。 磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等 常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR) 对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。 巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR) 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR) 超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。如同巨磁阻效应(GMR)，超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过，由于其相变温度较低，不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性，因此离实际应用尚需一些努力。 异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR) 有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。 穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR) 穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于1995年，由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。

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磁阻概念解释文献

角钢概念解释

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大小：247KB

页数： 5页

铁塔绘图及放样软件初学者需掌握的概念（暂行、欢迎指出错误之处。）角钢相关：心线：螺栓孔布置在角钢肢的一条直线上，这条直线称之为心线又叫准线。楞线：角钢外皮相交的直线，又称角钢背或角钢劲线。楞点：构成角钢楞线的两个端点。楞线侧：在角钢肢平面内，心线向楞线的方向为楞线侧。肢边侧：在角钢肢平面内，心线向楞线的反方向为肢边侧，又叫肢翼侧。轧制边：如下图 1 所示。切角边：如下图 1 所示。图 1 图 2 图 3 心距：在角钢肢平面内，楞线与心线之间的垂直距离，又叫准距。（见图 2）间距：在角钢肢平面内，同一准线上相邻两螺栓孔中心之间的距离。（见图 2）端距：在角钢肢平面内，角钢端头与首个螺栓孔中心之间的距离。（见图 2）轧制边距：准线与轧制边之间的距离。（见图 3）切角边距：螺栓孔中心与切角边之间的距离。（见图 3）重心线：角钢两个截面的重力作用点的

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工程经济名词解释概念

格式：pdf

大小：247KB

页数： 2页

名词解释概念： 1、敏感性分析：敏感性分析是指在确定确定性分析的基础上，通过进一步分析、预测项目主要不确定因素的变化对项目评价指标（如财务内部收益率、财务净现值等）的影响，从中找出敏感因素，分析评价指标对该因素的敏感程度，并分析该因素达到临界值时项目的承受能力。 2、机会成本：机会成本是指由于资源的有限性，考虑了某种用途，就失去了其他被使用而创造价值的机会。在所有这些其他可能被利用的机会中，把能获取最大价值作为项目方案使用这种资源的成本称之为机会成本。 3、价值工程：价值工程是以提高产品（或作业）价值和有效利用资源为目的，通过有组织的创造性工作，寻求用最低的寿命周期成本，可靠地实现使用者所需功能的一种管理技术。（可能还会问：工程：是指为实现提高价值的目标所进行的一系列分析研究的活动。价值：是指作为某种产品（或作业）所具有的功能与获得该功能的全部费用的比值） 4、经营

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磁阻电动机磁阻

磁阻，是一个与电路中的电阻类似的概念。电流总是沿着电阻最小的路径前进；磁通量总是沿着磁阻最小的路径前进。磁阻与电阻一样，都是一个标量。

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磁阻电机磁阻效应

磁阻效应是指电阻在磁场中增加的现象。磁阻效应在半导体中尤为显著。效应的大小通常用电阻的改变量和电阻本身的比值来量度： ρ₀和ρ_B分别为无磁场和有磁场时的电阻。一般来说，磁阻的大小与电流所沿的晶向及电流和磁场的相对取向有关。电流和磁场互相垂直时的磁阻称为横向磁阻；而电流与磁场平行时则称为纵向磁阻。 在磁场中，由于Lorentz力的作用，一般来说载流子的运动将发生偏转，这是产生磁阻效应的原因。但在等能面为球形的简单能带的情形下，纵向磁阻为零。因为在此情形下，漂移速度与磁场平行. 磁场的存在并不改变载流子的漂移运动，但横向磁阻一般不为零。在横向磁场下，作漂移运动的载流子同时受到Lorentz力和由Hall电场产生的静电力的作用。这两种力的作用在总体上相互抵消，使横向电流为零。但在动量弛豫时间依赖于能量的情形下，不同能量的载流子有不同的平均(漂移)速度，所受Lorentz力的大小并不相同。只是某一特定能量(平均速度)的载流子所受Lorentz力与静电力完全抵消。高于和低于此能量(平均速度)者，所受合力分别指向相反的方向，使载流子的漂移运动向两边偏转。这将导至电流减小，即导至横向磁阻效应。但应指出在简单能带情形下，当弛豫时间与能量无关时，横向磁阻为零。

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磁阻效应分类

若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。 磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等 常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR) 对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。 巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR) 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR) 超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。如同巨磁阻效应(GMR)，超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过，由于其相变温度较低，不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性，因此离实际应用尚需一些努力。 异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR) 有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。 穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR) 穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于1995年，由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。

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