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采用掩膜对准技术,对光刻胶进行曝光,使受紫外光辐照的光刻胶发生改变,从而完成刻蚀。
3-5mm样品台,20×物镜,双视场分离,分辨率0.8μm,套外精度优于±0.5μm,365nm波长不低于40mW/cm2,光强度均匀度,100mm,直径内优于±3%。
DEH系统主要功能: 汽轮机转速控制;自动同期控制;负荷控制;参与一次调频;机、炉协调控制;快速减负荷;主汽压控制;单阀控制、多阀解耦控制;阀门试验;轮机程控启动;OPC控制;甩负荷及失磁工况控制;...
蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液,经由化学反应以达到蚀刻的目的,化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。光刻机(Mask Aligner)...
⒈保水.保水剂不溶于水,但能吸收相当自身重量成百倍的水.保水剂可有效抑制水分蒸发.土壤中渗入保水剂后,在很大程度上抑制了水分蒸发,提高了土壤饱和含水量,降低了土壤的饱和导水率,从而减缓了土壤释放水的速...
道闸主要功能
道闸 主要功能: 功能一,手动按钮可作 ‘升’‘降’及‘停’操作、无线遥控可作 ‘升’‘降’‘停’及对手动按钮的 ‘加锁’‘解锁 ’操作 ; 功能二,停电自动解锁,停电后可手动抬杆 ; 功能三,具有便于维护与调试的 ‘自检模式 ’; 道闸 道闸又称挡车器,最初从国外引进,英文名叫 Barrier Gate ,是专门用于道路上限 制机动车行驶的通道出入口管理设备 ,现广泛应用于公路收费站、 停车场系统 管理车 辆通道,用于管理车辆的出入。电动道闸可单独通过无线遥控实现起落杆,也可以通过 停车场管理系统 (即 IC 刷卡管理系统)实行自动管理状态,入场取卡放行车辆,出场 时,收取 停车费 后自动放行车辆。
利用光刻机挡板优化MPW光罩布局
伴随着国内市场竞争的日趋激烈,常规的MPW(多项目晶圆)布局也不能满足客户的要求,同时也不能最大限度地降低设计公司的研发成本,也不利于国内foundry厂市场的开拓。鉴于此,文章着重提出了利用光刻机挡板把光罩进行区域划分,在不增加流片和满足客户要求的前提下,使光罩得到最大限度的利用,降低了客户的流片费用。通过在15cm片上流片验证,更加突出了此优化光罩布局的方法在研发成本和满足客户要求等方面的优越性,因而这种布局对我国集成电路的发展和新产品的研发工作,特别是对国内中小企业的成长提供了有力的支持,也为foundry厂赢得市场提供了重要的手段。
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
可见光:g线:436nm
紫外光(UV),i线:365nm
深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm
极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高,因为衍射现象会更严重。]
b.有足够的能量。能量越大,曝光时间就越短;
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯),高压汞灯有许多尖锐的光谱线,经过滤光后使用其中的g 线(436 nm)或i 线(365 nm)。
对于波长更短的深紫外光光源,可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光(248 nm)、ArF 准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。
曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动
A 手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;
B 半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐;
C 自动: 指的是 从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
光刻机的主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有汞灯,准分子激光器等。