半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前，离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间，注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺，粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的，即等离子体，它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速，利用磁场使其运动方向改变，这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后，会与硅原子碰撞而损失能量， 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子

详细描述了离子注入技术在泥浆泵缸套表面改性中的研究和应用，提出了离子注入高铬铸铁缸套表面改性的机制，通过样品实验和现场实验得到最佳离子注入工艺，使改性后的缸套筹命、丁晴橡胶活塞的使用寿命得到提高。本项技术可提高石油钻井的生产效率，降低成本，为国家节约资金，已基本达到工业应用化程度，填补了离子注入表面改性技术在石油行业应用的空白。