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高能离子注入机主要功能

高能离子注入机主要功能

可注入60多种元素,多倾角,高能量。 2100433B

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高能离子注入机造价信息

  • 市场价
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注入植筋胶

  • 品种:注入植筋胶;等级:A级;规格:380ml;
  • 大筑
  • 13%
  • 抚顺市军威新型建筑材料有限公司
  • 2022-12-08
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注入式手持花洒

  • 产品编码:CF-S502.006;品种:淋浴喷头;材质:铜质
  • 美标
  • 13%
  • 美标(中国)有限公司上海办事处
  • 2022-12-08
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注入式手持花洒

  • 产品编码:CF-S502.006;品种:淋浴喷头;材质:铜质
  • 美标
  • 13%
  • 哈尔滨爱建居然之家美标专卖店
  • 2022-12-08
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注入式手持花洒

  • 产品编码:CF-S501.006;品种:淋浴喷头;材质:铜质
  • 美标
  • 13%
  • 天津应得一美洁具贸易有限公司
  • 2022-12-08
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注入式手持花洒

  • 产品编码:CF-S502.006;品种:淋浴喷头;材质:铜质
  • 美标
  • 13%
  • 天津应得一美洁具贸易有限公司
  • 2022-12-08
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工程钻机主

  • GJD15A
  • 深圳市2005年9月信息价
  • 建筑工程
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工程钻机主

  • GJD15A
  • 深圳市2005年1月信息价
  • 建筑工程
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工程钻机主

  • GJD15A
  • 深圳市2005年1月信息价
  • 建筑工程
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离子弧焊机

  • 电流300A
  • 台班
  • 汕头市2012年4季度信息价
  • 建筑工程
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离子弧焊机

  • 电流300A
  • 台班
  • 汕头市2012年3季度信息价
  • 建筑工程
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楼层过道主要功能场地指引牌

  • (1)规格:450×2850×150mm(2)1.0mm镀锌板激光切割冲压焊接烤漆,内容镂空内置LED亚克力发光
  • 1套
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-09-21
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高能离子装置

  • Pn=0.33kW,箱体S30408
  • 1套
  • 1
  • 上海优蓝
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-05-13
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高能离子发生器

  • Q=4000m3/h,P=3.0kW
  • 1.0套
  • 3
  • 详细品牌见原档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2017-08-14
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高能离子发生器

  • Q=10000m3/h,P=7.5kW
  • 1.0套
  • 3
  • 详细品牌见原档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2017-08-14
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高能光等离子除油净化器

  • 设备阻力: 200Pa 净化功率 : 60W/220V
  • 4台
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-11-25
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高能离子注入机技术指标

加热温度:500oC及以下,注入能量:15keV–500keV。

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高能离子注入机主要功能常见问题

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高能离子注入机主要功能文献

道闸主要功能 道闸主要功能

道闸主要功能

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大小:11KB

页数: 1页

道闸 主要功能: 功能一,手动按钮可作 ‘升’‘降’及‘停’操作、无线遥控可作 ‘升’‘降’‘停’及对手动按钮的 ‘加锁’‘解锁 ’操作 ; 功能二,停电自动解锁,停电后可手动抬杆 ; 功能三,具有便于维护与调试的 ‘自检模式 ’; 道闸 道闸又称挡车器,最初从国外引进,英文名叫 Barrier Gate ,是专门用于道路上限 制机动车行驶的通道出入口管理设备 ,现广泛应用于公路收费站、 停车场系统 管理车 辆通道,用于管理车辆的出入。电动道闸可单独通过无线遥控实现起落杆,也可以通过 停车场管理系统 (即 IC 刷卡管理系统)实行自动管理状态,入场取卡放行车辆,出场 时,收取 停车费 后自动放行车辆。

半导体工艺之离子注入答辩 半导体工艺之离子注入答辩

半导体工艺之离子注入答辩

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大小:11KB

页数: 5页

半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间,注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺,粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的,即等离子体,它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后,会与硅原子碰撞而损失能量, 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子

离子注入机原理

离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。

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离子注入机应用

离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。

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离子注入机其在国内外的发展现状

目前,我国8英寸100纳米大角度离子注入机项目已成功实施,现在正着手研发下一代65纳米低能大束流离子注入机,同时,开发与之配套的工艺装备。

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