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可注入60多种元素,多倾角,高能量。 2100433B
加热温度:500oC及以下,注入能量:15keV–500keV。
DEH系统主要功能: 汽轮机转速控制;自动同期控制;负荷控制;参与一次调频;机、炉协调控制;快速减负荷;主汽压控制;单阀控制、多阀解耦控制;阀门试验;轮机程控启动;OPC控制;甩负荷及失磁工况控制;...
一、 LED 的结构及发光原理50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,第一个商用二极管产生于 1960 年。 LED 是英文 light emitting diode (发光二极管)的缩...
⒈保水.保水剂不溶于水,但能吸收相当自身重量成百倍的水.保水剂可有效抑制水分蒸发.土壤中渗入保水剂后,在很大程度上抑制了水分蒸发,提高了土壤饱和含水量,降低了土壤的饱和导水率,从而减缓了土壤释放水的速...
道闸主要功能
道闸 主要功能: 功能一,手动按钮可作 ‘升’‘降’及‘停’操作、无线遥控可作 ‘升’‘降’‘停’及对手动按钮的 ‘加锁’‘解锁 ’操作 ; 功能二,停电自动解锁,停电后可手动抬杆 ; 功能三,具有便于维护与调试的 ‘自检模式 ’; 道闸 道闸又称挡车器,最初从国外引进,英文名叫 Barrier Gate ,是专门用于道路上限 制机动车行驶的通道出入口管理设备 ,现广泛应用于公路收费站、 停车场系统 管理车 辆通道,用于管理车辆的出入。电动道闸可单独通过无线遥控实现起落杆,也可以通过 停车场管理系统 (即 IC 刷卡管理系统)实行自动管理状态,入场取卡放行车辆,出场 时,收取 停车费 后自动放行车辆。
半导体工艺之离子注入答辩
半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间,注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺,粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的,即等离子体,它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后,会与硅原子碰撞而损失能量, 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子
离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。
目前,我国8英寸100纳米大角度离子注入机项目已成功实施,现在正着手研发下一代65纳米低能大束流离子注入机,同时,开发与之配套的工艺装备。