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高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究

《高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究》是依托西安电子科技大学，由宋庆文担任项目负责人的青年科学基金项目。

高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究基本信息

中文名高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究
项目类别青年科学基金项目
项目负责人宋庆文
依托单位西安电子科技大学

高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究结题摘要

由于SiC材料优良的物理化学性能，以及其在功率半导体器件和军事上的的巨大潜力SiC基MOSFET器件技术，将其作为Si基功率器件之后新一代高压直流输电的核心器件，对于提高电能传输与转换效率，降低损耗，充分利用电能等具有重要社会和经济效益。本项目主要针对不同晶面的槽栅结构的4H-SiC MOSFET器件展开研究，进行了4H-SiC的碳化硅样片的氧化实验，研究了超高温度氧化对界面特性、对SiC氧化过程及缺陷形成的影响。尤其是掌握在较高温度（13500C）氧化过程中，氧化温度所起的作用和带来的不同类型缺陷及界面态的情况，建立不同氧化温度下的界面缺陷种类的提取和分布模型；提出了一种新型的L型沟道的Trench结构4H-SiC MOSFET器件的设计，该结构将器件的在U型槽拐角去的峰值电场由传统器件降低了32.3%,击穿电压提升了80.4%，该结构为进一步提升4H-SiC基功率MOSFETs的功率密度，进一步改善栅氧化层的可靠性。开发了新型的槽栅刻蚀关键工艺，建立了随时间变化的刻蚀过程模型，分析了微沟槽的形成、扩展以及消除机理，提出了“高频钝化刻蚀”制备无微沟槽Mesa刻蚀形貌的解决方案。在国际上首次通过实验系统地验证了trench沟槽非等间距多级场限环（TMFLRs）终端结构在SiC高压功率器件中的电场调制效应以及TMFLRs对器件击穿电压的提升作用。实验结果表明，基于50微米SiC外延材料，采用传统场限环结构的器件击穿电压仅达到5.7kV，而采用我们提出的终端结构的器件击穿电压达到6.7kV，终端效率高达90%。 2100433B

高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究造价信息

市场价
信息价
询价

工业用高性能泡沫玻璃

规格型号：
620×480mm
价格行情：
材料单位：
m³
材料品牌：
德和
材料税率：
13%
供应商：
上海麦芮节能环保工程有限公司
报价时间：
2022-12-08

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高性能硅酮结构胶

规格型号：
品种:高性能硅酮结构胶;系列:幕墙胶系列;包装说明:软;容量:590ml;毛重:800g;包装规格:20支/箱;型号:YA-8100;
价格行情：
材料单位：
支
材料品牌：
永安
材料税率：
13%
供应商：
上海绿封新材料有限公司
报价时间：
2022-12-08

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高性能硅酮结构胶

规格型号：
品种:高性能硅酮结构胶;系列:幕墙胶系列;包装说明:硬;容量:300ml;毛重:355g;包装规格:24支/箱;产品说明:透明;型号:YA-
价格行情：
材料单位：
支
材料品牌：
永安
材料税率：
13%
供应商：
上海绿封新材料有限公司
报价时间：
2022-12-08

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超高性能单组份结构胶

规格型号：
SS921,300ml,颜色黑
价格行情：
材料单位：
根
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
广州白云粘胶厂上海办事处
报价时间：
2022-12-08

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高性能工作站

规格型号：
内存:16GB;硬盘:512GB;综合单价;I7-8700×DDR4×SSD/独立显存2GB/2GbE×1/23.8寸显示器×1/200W单
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
海康威视
材料税率：
13%
供应商：
深圳市进一步网络科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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木工榫槽机

规格型号：
榫槽深度100
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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木工榫槽机

规格型号：
榫槽深度100
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

木工榫槽机

规格型号：
榫槽深度100
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2010年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

木工榫槽机

规格型号：
榫槽深度100
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2010年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

木工榫槽机

规格型号：
榫槽深度100
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2010年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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拦污栅栅槽

规格型号：
拦污栅栅槽
需求量：
10拦污栅栅槽
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2009-10-28

查看价格

拦污栅栅槽安装

规格型号：
拦污栅栅槽安装
需求量：
24项
报价数：
3
材料品牌：
/
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-04-19

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GH高性能C50砼

规格型号：
GH高性能C50砼
需求量：
90m²
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2020-09-18

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高性能水性涂料

规格型号：
高性能水性涂料
需求量：
3400kg
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2019-10-12

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高性能视频终端

规格型号：
实现对视频点、执法记录仪、铁骑、云镜等终端操作功能CPU:i7-9700内存:16G硬盘:2T+256GSSD显卡:2G独显显示器:23.8寸
需求量：
5台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2020-09-22

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高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究中文摘要

本课题主要针对高性能碳化硅（112(—)0）面槽栅功率MOSFET器件所面临的外延材料和器件物理相关基础科学问题开展研究。以研究（112(—)0）面的SiC热氧化及SiO2/SiC界面缺陷分布与器件性能之间的规律关系和阐述相应的物理机理作为主要的研究内容，最终制备出（112(—)0）面的槽栅 MOSFET器件作为验证，研制出碳化硅（112(—)0）面槽栅功率MOSFET器件芯片，实现器件比导通电阻低于2mΩ∙cm2，器件击穿电压不低于1700，实现器件的BFOM（BV2/Ron-sp）值达到1000MW/cm2。

高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究常见问题

MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里？谢谢了

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极...
feta瑜伽垫怎么样？

feta瑜伽垫不错哦，采用双层TPE防撕裂材料，使用寿命更长。双层使回弹效果更好。并且双层采用双色设计，极其美观。更为贴心的是正反面差异防滑，细节体现专业。
谁能推荐几款高性能hifi机？

森海塞尔，AKG，拜亚动力之类的德系耳机声场大，层次好索尼，铁三角之类的日系耳机定位精度高美国的舒尔介于两者之间 1.听摇滚的话对低音比较有要求，同等档次的耳机，入耳式的低音肯定比耳塞好 2.楼主...

高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究文献

沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究

沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究

沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究

格式：pdf

大小：823KB

页数： 5页

为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.

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4H-SiC同质外延材料中基矢面位错研究

4H-SiC同质外延材料中基矢面位错研究

4H-SiC同质外延材料中基矢面位错研究

格式：pdf

大小：823KB

页数：未知

在偏向<11-20>晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进行了测试表征,分析了基矢面位错在SiC外延材料中的转化和延伸理论机制,并讨论了不同导电类型的SiC材料在熔融KOH腐蚀液中的腐蚀机制。结果表明基矢面位错在n型SiC外延材料中更容易得到延伸,而在p型SiC外延材料中转化为刃位错;n型SiC在熔融KOH中的腐蚀,是电化学腐蚀占主导、各向同性的腐蚀过程,而p型SiC表现出各向异性的腐蚀特性。

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浙江大学高性能建筑结构与材料研究所研究方向

高性能建筑结构与材料研究

浙江大学高性能建筑结构与材料研究所发展历史

浙江大学高性能建筑结构与材料研究所成立于2010年，组建了来自德国、美国、英国、日本、法国、荷兰和香港地区长期留学和工作的具有国际化的研究队伍。

光纤光栅及变周期介质结构的理论和实验研究中文摘要

提出一种以场和路的结合为基本特征的电磁场工程化方法，对光纤光栅和变周期介质结构的传输和辐射特性作系统和深入的研究；为光纤系统和毫米波集成电路中有关周期结构和精确设计提供必要的指导原则和理论基础。与香港合作伙伴共同研制根据脉冲压缩体制，利用各类光纤光栅构成的新型光弧子高功率脉冲激光源样品，供宽频带高速率通信系统实验使用。

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