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跨导通常用gm表示。对于直流电,跨导可以定义为:
对于交流电小信号模型,跨导的定义相对更为简单:
在SI单位中,西门子公司,用符号,S;1西门子=1安培每伏更换旧的电导率,具有相同的定义,mho(欧姆拼写向后),符号,℧。
跨阻(转移电阻),也常常被称为互阻,是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值,记为rm:
跨阻国际单位就是欧姆,就像阻力一样。
跨阻(或转移阻抗)是互阻的交流等效,是互导的二元。
对于真空管,跨导被定义为板(阳极)/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化,恒定板(阳极)/阴极电压。gm典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一,另外两个是增益μ(mu)和平板电阻rp或ra。在范德Bijl公式定义它们之间的关系如下:
类似地,在场效应晶体管和MOSFET中,跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。gm的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。
使用Shichman-Hodges模型,MOSFET的跨导可以表示为:
其中ID是在直流漏电流偏置点,和VOV是过驱动电压,这是偏置点栅极-源极电压和之间的差的阈值电压(即,VOV≡VGS-Vth)。的过驱动电压(有时也被称为有效电压)在约70-200毫伏习惯上选择用于65纳米技术节点(ID≈1.13mA/μm),用于gm的11-32mS/μm。
另外,结FET的跨导由下式给出,其中VP是夹断电压,IDSS是最大漏极电流。
传统上,上式中给出的FET和MOSFET的跨导是使用微积分从每个器件的传输方程导出的。然而,卡特赖特已经证明,这可以在没有微积分的情况下完成。
所述gm的双极小信号晶体管差别很大,成比例的集电极电流。典型的范围是1到400毫西门子。在基极/发射极之间施加输入电压变化,输出是在具有恒定的集电极/发射极电压的集电极/发射极之间流动的集电极电流的变化。
双极晶体管的跨导可以表示为
其中IC=在Q点的DC集电极电流,VT=热电压,在室温下通常约为26mV。10毫安,典型电流gm≈385毫秒。
输出(集电极)电导由Early电压决定,与集电极电流成正比。对于线性操作的大多数晶体管,它远低于100μS。
要自动识别板跨,根据图纸要求定义板跨
板跨指的是短跨.
请问一下板跨筋如何绘制或者说如何导图啊,绘制的画怎么填写里面的信息啊,我是第一次遇到板跨筋这种,请两种都讲一下,请讲详细一点,谢谢啦,我是个反应比较慢的新手还有很多不会的, 答:新建一跨板受力筋。左右...
跨导放大器
跨导放大器(gm放大器)推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中,跨导放大器被定义为电压控制电流源(VCCS)。看到这些放大器安装在共源共栅配置,这是常见的,这提高了频率响应。
跨阻放大器
跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器,特别是半导体制造商。
网络分析中的跨阻放大器的术语是电流控制电压源(CCVS)。
一个基本的反相互阻放大器可以由一个运算放大器和一个电阻构成。只需在运算放大器的输出端和反相输入端之间连接电阻,并将同相输入端接地即可。然后,输出电压将与反相输入端的输入电流成比例,随着输入电流的增加而减小,反之亦然。在实践中,任何器件的寄生电容连接到运算放大器的虚拟地可能使其不稳定,并且必须在输出和反相引脚之间并联添加补偿电容。达到这个补偿电容的最佳值可能是不平凡的。
专用芯片跨阻(互阻抗)放大器广泛用于放大来自超高速光纤链路接收端的光电二极管的信号电流。MAX3724和MAX3725就是例子。
运算跨导放大器
一个运算跨导放大器(OTA)是集成电路能够作为跨导放大器的作用。这些通常有一个允许跨导控制的输入。2100433B
深基坑定义
深基坑 基坑工程简介: 基坑工程主要包括基坑支护体系设计与施工和土方开挖,是一项综合 性很强的系统工程。它要求岩土工程和结构工程技术人员密切配合。基坑 支护体系是临时结构,在地下工程施工完成后就不再需要。 基坑工程具有以下特点: 1)基坑支护体系是临时结构,安全储备较小,具有较大的风险性。基 坑工程施工过程中应进行监测,并应有应急措施。在施工过程中一旦出现 险情,需要及时抢救。 2)基坑工程具有很强的区域性。如软粘土地基、黄土地基等工程地质 和水文地质条件不同的地基中基坑工程差异性很大。同一城市不同区域也 有差异。基坑工程的支护体系设计与施工和土方开挖都要因地制宜,根据 本地情况进行,外地的经验可以借鉴,但不能简单搬用。 3)基坑工程具有很强的个性。基坑工程的支护体系设计与施工和土方 开挖不仅与工程地质水文地质条件有关,还与基坑相邻建(构)筑物和地 下管线的位置、抵御变形的能力、重要性,以
图形的定义
图形的定义 :区别于标记、标志与图案,他既不是一种单纯的符号,更不是单 一以审美为目的的一种装饰, 而是在特定的思想意识支配下的多某一个或多个视 觉元素组合的一种蓄意的刻画和表达形式。 它是有别于词语、 文字、语言的视觉 形式,可以通过各种手段进行大量复制,是传播信息的视觉形式。 图形的特征 :图形设计范围极为广泛,它覆盖着艺术造型、涉及思维、语言符 号、心理研究、大众传播、市场经营等方面的知识。 图形设计的基本特征概括起来大致有几个方面: 独特性 文化性 单纯性 认同性 象征性 传达性 图形的历史与发展 :图形的发展与人类社会的历史息息相关。 早在原始社会, 人类就开始以图画为手段,记录自己的理想、活动、成就,表达自己的情感,进 行沟通和交流。 当时绘画的目的并非是为了欣赏美, 而是有表情达意的作用, 被 作为一种沟通交流的媒介,这就成为最原始意义上的图形。 在人类社会的语言期与文字期中
跨导(英语:Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;而跨导增益则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。通常用 gm表示。
对于直流电,跨导增益可以定义为:
对于交流电小信号模型,跨导增益的定义相对更为简单:
对于真空管,跨导被定义为板(阳极)/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化,恒定板(阳极)/阴极电压。gm典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一,另外两个是增益μ(mu)和平板电阻rp或ra。在范德Bijl公式定义它们之间的关系如下:
类似地,在场效应晶体管和MOSFET中,跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。gm的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。
使用Shichman-Hodges模型,MOSFET的跨导增益可以表示为:
其中ID是在直流漏电流偏置点,和VOV是过驱动电压,这是偏置点栅极-源极电压和之间的差的阈值电压(即,VOV≡VGS-Vth)。的过驱动电压(有时也被称为有效电压)在约70-200毫伏习惯上选择用于65纳米技术节点(ID≈1.13mA/μm),用于gm的11-32mS/μm。
另外,结FET的跨导增益由下式给出,其中VP是夹断电压,IDSS是最大漏极电流。
传统上,上式中给出的FET和MOSFET的跨导是使用微积分从每个器件的传输方程导出的。然而,卡特赖特已经证明,这可以在没有微积分的情况下完成。
所述gm的双极小信号晶体管差别很大,成比例的集电极电流。典型的范围是1到400毫西门子。在基极/发射极之间施加输入电压变化,输出是在具有恒定的集电极/发射极电压的集电极/发射极之间流动的集电极电流的变化。
双极晶体管的跨导增益可以表示为
其中IC=在Q点的DC集电极电流,VT=热电压,在室温下通常约为26mV。10毫安,典型电流gm≈385毫秒。
输出(集电极)电导由Early电压决定,与集电极电流成正比。对于线性操作的大多数晶体管,它远低于100μS。
跨导放大器(gm放大器)推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中,跨导放大器被定义为电压控制电流源(VCCS)。看到这些放大器安装在共源共栅配置,这是常见的,这提高了频率响应。
跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器,特别是半导体制造商。
网络分析中的跨阻放大器的术语是电流控制电压源(CCVS)。一个基本的反相互阻放大器可以由一个运算放大器和一个电阻构成。只需在运算放大器的输出端和反相输入端之间连接电阻,并将同相输入端接地即可。然后,输出电压将与反相输入端的输入电流成比例,随着输入电流的增加而减小,反之亦然。在实践中,任何器件的寄生电容连接到运算放大器的虚拟地可能使其不稳定,并且必须在输出和反相引脚之间并联添加补偿电容。达到这个补偿电容的最佳值可能是不平凡的。专用芯片跨阻(互阻抗)放大器广泛用于放大来自超高速光纤链路接收端的光电二极管的信号电流。MAX3724和MAX3725就是例子。
一个运算跨导放大器(OTA)是集成电路能够作为跨导放大器的作用。这些通常有一个允许跨导控制的输入。