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对于真空管,跨导被定义为板(阳极)/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化,恒定板(阳极)/阴极电压。gm典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一,另外两个是增益μ(mu)和平板电阻rp或ra。在范德Bijl公式定义它们之间的关系如下:
类似地,在场效应晶体管和MOSFET中,跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。gm的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。
使用Shichman-Hodges模型,MOSFET的跨导可以表示为:
其中ID是在直流漏电流偏置点,和VOV是过驱动电压,这是偏置点栅极-源极电压和之间的差的阈值电压(即,VOV≡VGS-Vth)。的过驱动电压(有时也被称为有效电压)在约70-200毫伏习惯上选择用于65纳米技术节点(ID≈1.13mA/μm),用于gm的11-32mS/μm。
另外,结FET的跨导由下式给出,其中VP是夹断电压,IDSS是最大漏极电流。
传统上,上式中给出的FET和MOSFET的跨导是使用微积分从每个器件的传输方程导出的。然而,卡特赖特已经证明,这可以在没有微积分的情况下完成。
所述gm的双极小信号晶体管差别很大,成比例的集电极电流。典型的范围是1到400毫西门子。在基极/发射极之间施加输入电压变化,输出是在具有恒定的集电极/发射极电压的集电极/发射极之间流动的集电极电流的变化。
双极晶体管的跨导可以表示为
其中IC=在Q点的DC集电极电流,VT=热电压,在室温下通常约为26mV。10毫安,典型电流gm≈385毫秒。
输出(集电极)电导由Early电压决定,与集电极电流成正比。对于线性操作的大多数晶体管,它远低于100μS。
跨阻(转移电阻),也常常被称为互阻,是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值,记为rm:
跨阻国际单位就是欧姆,就像阻力一样。
跨阻(或转移阻抗)是互阻的交流等效,是互导的二元。
跨导通常用gm表示。对于直流电,跨导可以定义为:
对于交流电小信号模型,跨导的定义相对更为简单:
在SI单位中,西门子公司,用符号,S;1西门子=1安培每伏更换旧的电导率,具有相同的定义,mho(欧姆拼写向后),符号,℧。
在报表中有主材及设备表的,你如果没有可以进行载入报表的!
你好 1.给排水系统中,识别顺序: 卫生器具、设备----管道----阀门法兰、管道附件 2.电气专业,识别顺序: 配电箱柜----照明灯具、开关插座----电线导管 3、消防专业,识别顺序...
1.手动选中水平管和立管改吧。。。2.暂时还没有,自动识别的大多是错误的。
跨导放大器
跨导放大器(gm放大器)推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中,跨导放大器被定义为电压控制电流源(VCCS)。看到这些放大器安装在共源共栅配置,这是常见的,这提高了频率响应。
跨阻放大器
跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器,特别是半导体制造商。
网络分析中的跨阻放大器的术语是电流控制电压源(CCVS)。
一个基本的反相互阻放大器可以由一个运算放大器和一个电阻构成。只需在运算放大器的输出端和反相输入端之间连接电阻,并将同相输入端接地即可。然后,输出电压将与反相输入端的输入电流成比例,随着输入电流的增加而减小,反之亦然。在实践中,任何器件的寄生电容连接到运算放大器的虚拟地可能使其不稳定,并且必须在输出和反相引脚之间并联添加补偿电容。达到这个补偿电容的最佳值可能是不平凡的。
专用芯片跨阻(互阻抗)放大器广泛用于放大来自超高速光纤链路接收端的光电二极管的信号电流。MAX3724和MAX3725就是例子。
运算跨导放大器
一个运算跨导放大器(OTA)是集成电路能够作为跨导放大器的作用。这些通常有一个允许跨导控制的输入。2100433B
海湾设备接线指导
现场设备接线简图 1、GST-LD-8300型输入模块: 终端电阻 (4.7 k) Z1 Z2 I G GST-LD-8300 常开触点 现场设备 Z1 Z2 2、GST-LD-8301型输入 /输出模块 : GST-LD-8301 Z2 NO D2 V+ D1 G Z1 COM 电动脱扣式设备 +24V GND Z1 Z2 I 4.7k Ω NG G D1 G 电 +24V GND Z1 Z2 I 4.7k Ω N a3、GST-LD-8303型输入 /输出模块 : +24V GND Z1 Z2 NO1COM1GI2GI1 Z2Z1D2D1 COM2GV+ NO2 GST-LD-8303 卷帘门控制器 地感烟动 作输入 公共下位公
设备监理基础导论总结
第一章 P2 设备的特征 新增 “智能化” 原教材 P2“建设项目及 其类别”、P14“实施设 备工程监理的必要性 ” 删除 P4-6 四、设备工程和设备工程 监理 新增 P13-14 (三)设备工程监理的定 位 变动较大 第二章 P19 发改委职责 改为共同职责 原教材 P24“素质要求 ” 删除 P20 国家质量监督检验检疫 部门职责 由 10条改为 6条 P21 协会职责 新增( 6) P22 应满足的基本要求 变动较大 P24 继续教育 新增 P25 义务 新增( 1)( 2) P25 FIDIC 职业道德 全部调整 P28 第四行( 5) 新增 P28-29 应满足的要求 新增 5条 P33 第四节 新增 第三章 P40 新增一段 原教材 P37“项目类 型”、P49“第三节”、 P52“第四节”删除 P42 新增一段 P46-48 关系(一)(二) 新增 P49 第二节
跨导(英语:Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;而跨导增益则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。通常用 gm表示。
对于直流电,跨导增益可以定义为:
对于交流电小信号模型,跨导增益的定义相对更为简单:
对于真空管,跨导被定义为板(阳极)/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化,恒定板(阳极)/阴极电压。gm典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一,另外两个是增益μ(mu)和平板电阻rp或ra。在范德Bijl公式定义它们之间的关系如下:
类似地,在场效应晶体管和MOSFET中,跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。gm的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。
使用Shichman-Hodges模型,MOSFET的跨导增益可以表示为:
其中ID是在直流漏电流偏置点,和VOV是过驱动电压,这是偏置点栅极-源极电压和之间的差的阈值电压(即,VOV≡VGS-Vth)。的过驱动电压(有时也被称为有效电压)在约70-200毫伏习惯上选择用于65纳米技术节点(ID≈1.13mA/μm),用于gm的11-32mS/μm。
另外,结FET的跨导增益由下式给出,其中VP是夹断电压,IDSS是最大漏极电流。
传统上,上式中给出的FET和MOSFET的跨导是使用微积分从每个器件的传输方程导出的。然而,卡特赖特已经证明,这可以在没有微积分的情况下完成。
所述gm的双极小信号晶体管差别很大,成比例的集电极电流。典型的范围是1到400毫西门子。在基极/发射极之间施加输入电压变化,输出是在具有恒定的集电极/发射极电压的集电极/发射极之间流动的集电极电流的变化。
双极晶体管的跨导增益可以表示为
其中IC=在Q点的DC集电极电流,VT=热电压,在室温下通常约为26mV。10毫安,典型电流gm≈385毫秒。
输出(集电极)电导由Early电压决定,与集电极电流成正比。对于线性操作的大多数晶体管,它远低于100μS。
跨导放大器(gm放大器)推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中,跨导放大器被定义为电压控制电流源(VCCS)。看到这些放大器安装在共源共栅配置,这是常见的,这提高了频率响应。
跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器,特别是半导体制造商。
网络分析中的跨阻放大器的术语是电流控制电压源(CCVS)。一个基本的反相互阻放大器可以由一个运算放大器和一个电阻构成。只需在运算放大器的输出端和反相输入端之间连接电阻,并将同相输入端接地即可。然后,输出电压将与反相输入端的输入电流成比例,随着输入电流的增加而减小,反之亦然。在实践中,任何器件的寄生电容连接到运算放大器的虚拟地可能使其不稳定,并且必须在输出和反相引脚之间并联添加补偿电容。达到这个补偿电容的最佳值可能是不平凡的。专用芯片跨阻(互阻抗)放大器广泛用于放大来自超高速光纤链路接收端的光电二极管的信号电流。MAX3724和MAX3725就是例子。
一个运算跨导放大器(OTA)是集成电路能够作为跨导放大器的作用。这些通常有一个允许跨导控制的输入。