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目前,我国8英寸100纳米大角度离子注入机项目已成功实施,现在正着手研发下一代65纳米低能大束流离子注入机,同时,开发与之配套的工艺装备。
离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。
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在智能家居控制领域, 我公司自主研发设计出的JU-BUS智能控制系统。JU-BUSJU-BUS智能控制系统其网络是一个完全对等(peer-to-peer)的分布式网络。接入网络...
国内外LED发展现状概述
国内外LED发展现状概述
国内外切割机研究与发展现状简介
国内外切割机研究与发展现状简介 作者: 陶有生 作者单位: 中国加气混凝土协会 本文链接: http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_6884911.aspx
极限真空优于5*10^-4Pa;真空室尺寸:Φ600mm球形;抽速:26分钟达到1×10-3Pa;钛靶和碳靶各2个,均为Ф100mm;弧电源电流60~150A连续可调;脉冲负偏压0~1000V可调,占空比10%--90%可调;离子源平均引出电流/电压:10.7mA/76KV;束斑直径Ф150mm。
可注入60多种元素,多倾角,高能量。 2100433B
离子注入后,需要进行一步高温退火过程来将杂质激活并推进到硅片内部,同时修复由于高能离子注入所引起的硅片表面晶格损伤.。