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离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。
目前,我国8英寸100纳米大角度离子注入机项目已成功实施,现在正着手研发下一代65纳米低能大束流离子注入机,同时,开发与之配套的工艺装备。
离子风机能够在各种工作环境中(包括净化室)提供大范围的除静电区域、快速的除静电时间和稳定的离子平衡电压。离子风机可产生大量的带有正负电荷的气流,可以将物体上所带的电荷中和掉。当物体表面所带电荷为负电荷...
按交流型静电消除器原理设计而成,属电子类。扁宽型大风量设计适用于宽泛围消除静电。可调节离子风量,在台式离子风机的基础上,加装有暖风装置,内置高压发生器。卧式离子风机,风力大小可由调速开关在一个很大的范...
原理:台式离子风机,离子风机能够在各种工作环境中(包括净化室)提供大范围的除静电区域、快速的除静电时间和稳定的离子平衡电压。台式离子风机可产生大量的带有正负电荷的气流,可以将物体上所带的电荷中和掉。当...
半导体工艺之离子注入答辩
半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间,注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺,粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的,即等离子体,它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后,会与硅原子碰撞而损失能量, 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子
Ta离子注入对铝青铜耐磨性能的影响
采用俄歇电子能谱仪分析Ta离子注入铝青铜合金的Ta、Cu和Al元素分布,利用显微硬度仪测量注入Ta离子铝青铜的显微硬度,用摩擦磨损试验机分析QAl9-4铝青铜的摩擦系数和磨损质量损失。结果表明:随Ta离子注入剂量的增加,铝青铜中的Ta原子浓度升高,离子注入深度超过100 nm,显微硬度显著增高,在距合金表面约60 nm深处硬度达到最大值;铝青铜的摩擦系数显著降低,单位时间内磨损质量损失显著减小,因此明显提高了铝青铜的耐磨性能。
极限真空优于5*10^-4Pa;真空室尺寸:Φ600mm球形;抽速:26分钟达到1×10-3Pa;钛靶和碳靶各2个,均为Ф100mm;弧电源电流60~150A连续可调;脉冲负偏压0~1000V可调,占空比10%--90%可调;离子源平均引出电流/电压:10.7mA/76KV;束斑直径Ф150mm。
可注入60多种元素,多倾角,高能量。 2100433B
离子注入后,需要进行一步高温退火过程来将杂质激活并推进到硅片内部,同时修复由于高能离子注入所引起的硅片表面晶格损伤.。