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传统的MIS系统的核心是CS(Client/Server--客户端/服务器)架构,而基于Web的MIS系统的核心BS(Browser/Server--浏览器/服务器)架构。BS架构比起CS架构有着很大的优越性,传统的MIS系统依赖于专门的操作环境,这意味着操作者的活动空间受到极大限制;而BS架构则不需要专门的操作环境,在任何地方,只要能上网,就能够操作MIS系统,这其中的优劣差别是不言而喻的。 基于Web的MIS系统,弥补了传统MIS系统的不足,充分体现了现代网络时代的特点。随着网络技术的高速发展,因特网必将成为人类新社会的技术基石。基于Web的MIS系统必将成为网络时代的新一代管理信息系统,前景极为乐观。2100433B
办公自动化系统(OA)、与上级机关及外界交换信息等都离不开Intranet的应用。可以这样说,现代企业MIS不能没有Intranet,但Intranet的建立又必须依赖于MIS的体系结构和软硬件环境。 基于Web的MIS系统是对传统MIS系统概念上的扩展,它不仅可以用于高层决策,而且可以用于进行普通的商务管理。通过用户的具名登录(或匿名登录),以及相应的权限控制,可以实现在远端对系统的浏览、查询、控制和审阅。随着Internet的扩展,现有的公司和学校不再局限于物理的有形的真实的地域,网络本身成为事实上发展的空间。换句话说,"数字化生存"归根到底就是"网络化生存",网络将成为人们之间交流和通讯的最直接,也是最便捷的工具。 基于Web的MIS系统同传统的MIS技术有相似也有区别。相似之处在于技术的理念;区别之处在于技术的实现。
电力工程架构部分套哪一册定额 套用电力工程中安装定额二册定额 。
我们决定以多种构架视图来表示软件构架。每种构架视图针对于开发流程中的涉众(例如最终用户、设计人员、管理人员、系统工程师、维护人员等)所关注的特定方面。构架视图显示了软件构架如何分解为构件,以及构件如何...
你好:6mm厚度,,那t=16和t=20是钢板厚度。
500kV变电站工程架构基础施工方案
500kV变电站工程架构基础施工方案——500kV架构基础地面设计标高(±0.000)为118.180m。 基础均采用C30混凝土,二次灌浆采用C35细石混凝土,基础垫层采用C15混凝土,基础保护层厚度50mm。500kV架构基础及垫层均采用泵送商品混凝土。 …… 施工工艺...
500kV变电站工程架构基础施工方案
xx500kV 变电站工程 500kV架构基础施工方案 山东 xx 工程公司 xx500kV 变电站工程项目部 2011 年 04月 08日 审 批 页 批 准: 审 核: 编 写: 500kV 架构基础施工方案 第 0 页 共 26 页 目 录 一、 编制依据 .......................................................... 1 二、 工程概况 .......................................................... 1 三、 施工部署及人员组织 ................................................ 2 四、主要设备、工器具 ................................................... 2 五、施工作
批准号 |
69576006 |
项目名称 |
MIS硅基隧道发光结的研究 |
项目类别 |
面上项目 |
申请代码 |
F0403 |
项目负责人 |
孙承休 |
负责人职称 |
副教授 |
依托单位 |
东南大学 |
研究期限 |
1996-01-01 至 1999-12-31 |
支持经费 |
7(万元) |
对于半导体异质结或者MIS的界面势垒,在加有较高的电压时,势垒中的电场很强,则这时电子隧穿的界面势垒可近似为三角形势垒(见图2),并且该隧穿三角形势垒的宽度与外加电压有关(即与电场E有关);这种隧穿称为Fowler-Nordheim隧穿,相应的电流为
j = -q n vth T(三角形) = C1 E2 exp(C2/E)
其中的常数C1=9.625×10,C2=2.765×10V/cm。
特别,对于MOS系统,电子从Si隧穿二氧化硅的势垒可近似为斜顶梯形的势垒,这种隧穿往往称为直接隧穿。
本课题为利用硅集成电路工艺,在面掺杂浓度10(23)cm(-3)的n型硅片上生长MIS隧道结,研究其发光特性。SiO2两侧金属膜加电压(约5V),隧穿电子在结界面激发起等离极化激元(SPP),作动量补偿后,转换为光子辐射。测得发射光谱分布在449nm到740nm之间,峰值462.4,618.4,721.2nm,相对强度6:12:21,效率2.77×10(-4%)。其中462.4nm的是SiO2/n-Si界面的SPP模,它所对应的电子浓度高于掺杂值。按发光测得I-V曲线上的负阻现象,可用动态电荷积累假设来解释。分析了双势垒隧道结,观察到负阻、谱蓝移、效率提高等现象。按SPP→光的转换可逆,提出了双光纤 MIS的增强光输出结构。对粗糙度作了统计分析并对它影响结的发光关系用格林函数作了理论处理。 2100433B