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宽禁带半导体材料碳化硅具有临界击穿电场大、饱和漂移速度大、热导率高的特点。因此,碳化硅器件具有传统材料器件无法比拟的优势。但是,由于材料特性及工艺水平的限制,普通结构的碳化硅双极晶体管开启电压偏高,电流增益偏低,且工作频率有限,这不仅限制了器件的开关和放大性能,而且阻碍了器件在射频应用领域的发展前景。针对以上问题,本项目提出对碳化硅金属-半导体双极型晶体管(4H-SiC MSBJT)的研究,利用新的器件结构降低开启电压,抑制界面陷阱效应,改善器件特性,实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化材料生长工艺、实现功率封装等开展,完成芯片设计和仿真评估,并投片验证设计结果。
批准号 |
60876061 |
项目名称 |
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究 |
项目类别 |
面上项目 |
申请代码 |
F0405 |
项目负责人 |
张玉明 |
负责人职称 |
教授 |
依托单位 |
西安电子科技大学 |
研究期限 |
2009-01-01 至 2011-12-31 |
支持经费 |
40(万元) |
一、单极型晶体管在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中,包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管,只需要一种载流子,这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管,因为场效应晶体...
乱七八糟的,现在三极管基本上是硅管,很少用锗管了。一般常见的都是硅三极管和硅二极管。去网上找个半导体器件命名手册,里面有根据型号识别的方法。
碳化硅 SiC >99% 8000元/吨 以上 SiC <98% 3800-4200元/吨价格近期来不是很稳定,买卖都需慎重
第五章双极型晶体管开关特性
第五章双极型晶体管开关特性
第五章双极型晶体管开关特性 (2)
第五章双极型晶体管开关特性 (2)
碳化硅半导体材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 属W族化合物半导体。为共价键晶体,有闪锌矿型和铅锌矿 型两种结晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔点283U}"-,本征电阻率 [L一0.7)i}wm},禁带宽度2.99一42.br}'。电子迁移率 3(10---9(1D}m'-I( V w ),介电常数9.72一10.32。采用艾奇逊 [Acheso耐法合成。硅过量时为n型半导体,碳过量时为p }1 半导体。
《国外电子与通信教材系列:碳化硅半导体材料与器件》是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论,内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管,以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试,以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时,重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果,以及今后的发展趋势。
双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)
双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。 晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.