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碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究中文摘要

碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究中文摘要

宽禁带半导体材料碳化硅具有临界击穿电场大、饱和漂移速度大、热导率高的特点。因此,碳化硅器件具有传统材料器件无法比拟的优势。但是,由于材料特性及工艺水平的限制,普通结构的碳化硅双极晶体管开启电压偏高,电流增益偏低,且工作频率有限,这不仅限制了器件的开关和放大性能,而且阻碍了器件在射频应用领域的发展前景。针对以上问题,本项目提出对碳化硅金属-半导体双极型晶体管(4H-SiC MSBJT)的研究,利用新的器件结构降低开启电压,抑制界面陷阱效应,改善器件特性,实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化材料生长工艺、实现功率封装等开展,完成芯片设计和仿真评估,并投片验证设计结果。

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碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

碳化硅

  • 230×115×65规格:长×宽×厚(mm):230×115×65;分:普;品种:砖;
  • t
  • 华林
  • 13%
  • 抚顺市华林耐火材料厂
  • 2022-12-07
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碳化硅

  • kg
  • 13%
  • 巩义市恒立耐火材料厂佛山办事处
  • 2022-12-07
查看价格

碳化硅

  • :普;厚度(mm):65;品种:砖;宽度(mm):115;规格:长×宽×厚(mm):230×115×65;长度(mm):230
  • t
  • 华林
  • 13%
  • 抚顺市华林耐火材料厂通化销售处
  • 2022-12-07
查看价格

碳化硅

  • :标;厚度(mm):65;品种:砖;宽度(mm):115;规格:长×宽×厚(mm):230×115×65;长度(mm):230
  • 新东
  • 13%
  • 长春市新东保温耐火材料有限公司
  • 2022-12-07
查看价格

碳化硅

  • :标;厚度(mm):65;品种:砖;宽度(mm):115;规格:长×宽×厚(mm):230×115×65;长度(mm):230
  • 兴科
  • 13%
  • 长春市兴科耐火材料有限责任公司
  • 2022-12-07
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自发电一焊机

  • 305A
  • 台班
  • 韶关市2010年8月信息价
  • 建筑工程
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 汕头市2011年3季度信息价
  • 建筑工程
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 广州市2010年3季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 汕头市2010年2季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 广州市2010年2季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

IGBT绝缘栅晶体管

  • FF300R12KE3
  • 4.0个
  • 2
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2014-11-18
查看价格

碳化硅

  • 粒径0.5-2mm
  • 1000m³
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-11-03
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-10-24
查看价格

半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-14
查看价格

半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-16
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碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究基本信息

批准号

60876061

项目名称

碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究

项目类别

面上项目

申请代码

F0405

项目负责人

张玉明

负责人职称

教授

依托单位

西安电子科技大学

研究期限

2009-01-01 至 2011-12-31

支持经费

40(万元)

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碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究中文摘要常见问题

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碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究中文摘要文献

第五章双极型晶体管开关特性 第五章双极型晶体管开关特性

第五章双极型晶体管开关特性

格式:pdf

大小:8.4MB

页数: 69页

第五章双极型晶体管开关特性

第五章双极型晶体管开关特性 (2) 第五章双极型晶体管开关特性 (2)

第五章双极型晶体管开关特性 (2)

格式:pdf

大小:8.4MB

页数: 67页

第五章双极型晶体管开关特性 (2)

碳化硅半导体材料特性

碳化硅半导体材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 属W族化合物半导体。为共价键晶体,有闪锌矿型和铅锌矿 型两种结晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔点283U}"-,本征电阻率 [L一0.7)i}wm},禁带宽度2.99一42.br}'。电子迁移率 3(10---9(1D}m'-I( V w ),介电常数9.72一10.32。采用艾奇逊 [Acheso耐法合成。硅过量时为n型半导体,碳过量时为p }1 半导体。

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碳化硅半导体材料与器件内容简介

《国外电子与通信教材系列:碳化硅半导体材料与器件》是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论,内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管,以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试,以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时,重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果,以及今后的发展趋势。

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双极型晶体管介绍

双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)

双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。 晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.

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