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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺

《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》是通威太阳能(合肥)有限公司于2017年4月20日申请的发明专利,该专利申请号为201710259492X,公布号为CN106848004A,专利公布日为2017年6月13日,发明人是李亮亮、苏世杰、张玉前、查志军、陈世琴。 
《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》涉及电池片刻蚀技术领域,具体为一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺,包括以下步骤:步骤1,镀膜准备,在待刻蚀硅片的上、下表面均镀上一层铝膜;步骤2,初级除杂;步骤3,次级除杂,浸入初级刻蚀液中;步骤4,去除剩余铝膜;步骤5,刻蚀准备;步骤6,进行刻蚀。该发明通过初级除杂时铝膜、氧气以及变温加热的效果,实现对硅片的除杂,然后通过次级除杂时的初级刻蚀液与铝膜的反应作用,使得铝膜对硅片内部的杂质进一步吸附,从而更好的实现硅片除杂功能,在硅片的刻蚀过程中,通过初级除杂和次级除杂的作用,在刻蚀的同时有效的防止EL污染,减少漏电电池板和隐裂电池板的产生,非常有效。 
2020年7月17日,《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》获得安徽省第七届专利奖优秀奖。 

一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺基本信息

一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺技术领域

《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》涉及电池片刻蚀技术领域,具体涉及一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺。

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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

太阳能电池板

  • 功率(W):190;品种:太阳能电池板;开路压:43.2;压:35;流:5.27;短路流:5.79;规格:YTCM-2190;规格尺寸(mm):1580×806×45;重量(kg):16
  • 宇泰
  • 13%
  • 青岛宇泰新能源科技有限公司
  • 2022-12-07
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太阳能电池板

  • 功率(W):60;品种:太阳能电池板;开路压:21.5;压:17.5;流:4.57;短路流:5;规格:YTCM-2080;规格尺寸(mm):1197×542×36;重量(kg):8.2
  • 宇泰
  • 13%
  • 青岛宇泰新能源科技有限公司
  • 2022-12-07
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太阳能电池板

  • 功率(W):210;品种:太阳能电池板;开路压:36.1;压:29;流:7.24;短路流:7.33;规格:YTCM-5210;规格尺寸(mm):1680×992×50;重量(kg):18.7
  • 宇泰
  • 13%
  • 青岛宇泰新能源科技有限公司
  • 2022-12-07
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太阳能电池板

  • 功率(W):140;品种:太阳能电池板;开路压:43;压:35;流:4.01;短路流:4.41;规格:YTCM-2140;规格尺寸(mm):1580×806×45;重量(kg):8.2
  • 宇泰
  • 13%
  • 青岛宇泰新能源科技有限公司
  • 2022-12-07
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太阳能电池板

  • 功率(W):100;品种:太阳能电池板;开路压:21.5;压:17.5;流:5.72;短路流:6.17;规格:YTCM-5100;规格尺寸(mm):1476×676×45;重量(kg):5
  • 宇泰
  • 13%
  • 青岛宇泰新能源科技有限公司
  • 2022-12-07
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控制机检测

  • PEEK型TIC-400EV(埃尔达斯)
  • 珠海市2015年7月信息价
  • 建筑工程
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控制机检测

  • PEEK型TIC-400EV(埃尔达斯)
  • 珠海市2015年6月信息价
  • 建筑工程
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控制机检测

  • PEEK型TIC-400EV(埃尔达斯)
  • 珠海市2014年11月信息价
  • 建筑工程
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控制机检测

  • PEEK型TIC-400EV(埃尔达斯)
  • 东莞市2014年10月信息价
  • 建筑工程
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控制机检测

  • PEEK型TIC-400EV(埃尔达斯)
  • 珠海市2014年9月信息价
  • 建筑工程
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太阳能电池板

  • 太阳能电池板 80w
  • 1m²
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-07-22
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太阳能电池板

  • 4KW光伏太阳能电池板
  • 2套
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2018-09-12
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太阳能电池板

  • 总功率为30KW,系统扬程为50米,每小时约提水量50立方米,太阳能电池板工作压DC500-600V
  • 1m²
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-09-10
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太阳能电池板

  • 电池片转换效率:13.7% 太阳能电池板工作环境:-40 %%DC to +85 %%DC 最大系统压:1000 V DC (IEC) / 600 V DC (UL) 正负公差:-3/+3 %
  • 2套
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2019-12-16
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太阳能电池板

  • 1、功率:100W;2、密封、抗冲击性能好,带安装支架,便于安装;3、正常工作寿命大于15年,免维护;
  • 3块
  • 1
  • 高档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2022-12-05
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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺权利要求

1.《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》其特征在于,包括以下步骤:步骤1,镀膜准备:在待刻蚀硅片的上、下表面均镀上一层铝膜;步骤2,初级除杂:将步骤1中得到的硅片放入去离子水池,向水池内持续通入氧气,同时对水池加热3~5分钟;步骤3,次级除杂:将步骤2中去离子水池内的硅片取出,去除下表面铝膜,然后浸入初级刻蚀液中,充分反应30~45秒;步骤4,去除剩余铝膜:取出步骤3中充分反应后的硅片,去除上表面剩余铝膜;步骤5,刻蚀准备:对去除剩余铝膜的上表面使用去离子水冲洗,并在上表面形成水膜;步骤6,进行刻蚀:将步骤5得到的硅片放入刻蚀机内进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺,其特征在于:步骤1中铝膜厚度为15~20厘米。

3.根据权利要求1所述的一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺,其特征在于:步骤2中对水池采用变温加热,且温度变化范围为700℃~900℃。

4.根据权利要求1所述的一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺,其特征在于:步骤3中的初级刻蚀液由硝酸、氢氟酸、草酸、亚磺酸、乙醇以及去离子水按照体积比3:1:0.5:0.3:0.08:6配制而成。

5.根据权利要求1所述的一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺,其特征在于:步骤3和步骤4中对铝膜的去除均使用裁切机进行。

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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺专利背景

电池片扩散工艺采取的是两片电池片背靠背单面扩散技术,扩散后的硅片上表面以及边缘均会扩散上磷原子,形成PN结,在光照作用下即可形成光伏效应。但其产生的电子会沿着边缘PN结传导至电池片下表面造成电池片短路。因此,太阳能电池片生产的另一个重要工序--刻蚀,其主要目的是去除电池片边缘PN结,避免电池片漏电失效。

当太阳能电池板进行过刻蚀工艺的处理之后,经常需要对其进行EL检测,对于EL的检测结果,经常出现大批量的漏电电池板以及隐裂电池板,造成非常大的经济损失。 2017年4月之前的技术中,出现这种EL检测污染的主要原因就是,电池板内杂质含量太多或者分布不均匀,导致电池板内少子含量降低,进而影响电池板效率,所以需要对电池板进行除杂,但是对于电池板的除杂十分麻烦,而且除杂完成后再进行刻蚀,很容易再次遭受污染,所以我们将除杂与刻蚀工艺结合起来,提出一种可防止EL污染的刻蚀工艺。

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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺常见问题

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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺发明内容

一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺专利目的

《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》的目的在于提供一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。

一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺技术方案

《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》包括以下步骤:

步骤1,镀膜准备:在待刻蚀硅片的上、下表面均镀上一层铝膜;

步骤2,初级除杂:将步骤1中得到的硅片放入去离子水池,向水池内持续通入氧气,同时对水池加热3~5分钟;

步骤3,次级除杂:将步骤2中去离子水池内的硅片取出,去除下表面铝膜,然后浸入初级刻蚀液中,充分反应30~45秒;

步骤4,去除剩余铝膜:取出步骤3中充分反应后的硅片,去除上表面剩余铝膜;

步骤5,刻蚀准备:对去除剩余铝膜的上表面使用去离子水冲洗,并在上表面形成水膜;

步骤6,进行刻蚀:将步骤5得到的硅片放入刻蚀机内进行刻蚀。

优选的,步骤1中铝膜厚度为15~20厘米。

优选的,步骤2中对水池采用变温加热,且温度变化范围为700℃~900℃。

优选的,步骤3中的初级刻蚀液由硝酸、氢氟酸、草酸、亚磺酸、乙醇以及去离子水按照体积比3:1:0.5:0.3:0.08:6配制而成。

优选的,步骤3和步骤4中对铝膜的去除均使用裁切机进行。

一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺改善效果

《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》在硅片上、下表面镀上一层铝膜,然后将硅片放入去离子水池中进行加热,通过加热的方式,使得铝膜的设置可以很好的实现吸杂效果,而且向水池内通乳氧气,使得硅片的含氧量增大,从而提高少子寿命和电池板使用效率。

该发明中在加热完成后,将下表面的铝膜裁切掉,放入初级刻蚀液中,不光可以对硅片进行初级刻蚀,而且上表面的铝膜可以与初级刻蚀液中的酸发生反应,在反应过程中,合理控制反应时间,铝膜进一步的对硅片内的杂质进行吸附,然后取出反应完成的硅片,通过裁切机将上表面反应剩余的铝膜去除,再采用去离子水冲洗,很好的实现进一步除杂的作用,最后再对此硅片放入刻蚀机内进行刻蚀。

该发明通过初级除杂时铝膜、氧气以及变温加热的效果,实现对硅片的除杂,然后通过次级除杂时的初级刻蚀液与铝膜的反应作用,使得铝膜对硅片内部的杂质进一步吸附,从而更好的实现硅片除杂功能,在硅片的刻蚀过程中,通过初级除杂和次级除杂的作用,在刻蚀的同时有效的防止EL污染,减少漏电电池板和隐裂电池板的产生,非常有效。

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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺实施方式

  • 实施例1

《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》提供一种技术方案:

一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺,包括以下步骤:

步骤1,镀膜准备:对于制造太阳能电池板的硅片来说,根据分凝模型知,铝膜越厚,吸杂效果越好,所以在待刻蚀硅片的上、下表面均镀上一层铝膜,为了减小下面步骤中铝膜的反应时间,将铝膜厚度设置为15厘米,而且可以很好的吸杂。

步骤2,初级除杂:将步骤1中得到的镀好膜的硅片放入去离子水池,向水池内持续通入氧气,同时对水池进行变温加热,加热时间为3分钟,3分钟时间内,温度从700℃慢慢递增至900℃,再从900℃降低至700℃。

步骤3,次级除杂:当步骤2中加热时间结束,将离子水池内的硅片取出,使用裁切机将下表面的铝膜恰好去除,保证不要切到硅片,然后浸入到由硝酸、氢氟酸、草酸、亚磺酸、乙醇以及去离子水按照体积比3:1:0.5:0.3:0.08:6配制而成的初级刻蚀液中,使得硅片没有铝膜覆盖的侧壁和下表面初步进行刻蚀,上表面的铝膜与初级刻蚀液中的酸充分反应,铝膜一边与酸反应、溶解,一边进一步的吸附硅片中的杂质,充分反应30秒后,停止反应,取出硅片;对应不同厚度的铝膜,因为初级刻蚀液的浓度相同,所以反应时间也相对应,15厘米的铝膜,反应时间控制为30秒,控制铝膜不能被反应溶解完,防止初级刻蚀液对上表面产生刻蚀。

步骤4,去除剩余铝膜:步骤3中充分反应完成后,取出硅片,使用裁切机去除上表面的剩余铝膜,同时也不能给裁切到硅片,去除剩余铝膜,将杂质随铝膜裁切掉。

步骤5,刻蚀准备:铝膜吸附硅片中的杂质时,很容易会有杂质残留在硅片上表面,所以需要对去除剩余铝膜后的上表面,使用去离子水进行冲洗,清洗掉残留杂质,并且在上表面形成一层水膜,方便接下来的正式刻蚀。

步骤6,进行刻蚀:对于形成有水膜的硅片,直接将此硅片放入刻蚀机内进行刻蚀,在去除了大量杂质的情况下实现对该硅片的刻蚀,从而防止了EL污染。

  • 实施例2

该发明包括以下步骤:

步骤1,镀膜准备:对于制造太阳能电池板的硅片来说,根据分凝模型知,铝膜越厚,吸杂效果越好,所以在待刻蚀硅片的上、下表面均镀上一层铝膜,为了减小下面步骤中铝膜的反应时间,将铝膜厚度设置为20厘米,而且可以很好的吸杂。

步骤2,初级除杂:将步骤1中得到的镀好膜的硅片放入去离子水池,向水池内持续通入氧气,同时对水池进行变温加热,加热时间为5分钟,5分钟时间内,温度从700℃慢慢递增至900℃,再从900℃降低至700℃。

步骤3,次级除杂:当步骤2中加热时间结束,将离子水池内的硅片取出,使用裁切机将下表面的铝膜恰好去除,保证不要切到硅片,然后浸入到由硝酸、氢氟酸、草酸、亚磺酸、乙醇以及去离子水按照体积比3:1:0.5:0.3:0.08:6配制而成的初级刻蚀液中,使得硅片没有铝膜覆盖的侧壁和下表面初步进行刻蚀,上表面的铝膜与初级刻蚀液中的酸充分反应,铝膜一边与酸反应、溶解,一边进一步的吸附硅片中的杂质,充分反应45秒后,停止反应,取出硅片;对应不同厚度的铝膜,因为初级刻蚀液的浓度相同,所以反应时间也相对应,20厘米的铝膜,反应时间控制为45秒,控制铝膜不能被反应溶解完,防止初级刻蚀液对上表面产生刻蚀。

步骤4,去除剩余铝膜:步骤3中充分反应完成后,取出硅片,使用裁切机去除上表面的剩余铝膜,同时也不能给裁切到硅片,去除剩余铝膜,将杂质随铝膜裁切掉。

步骤5,刻蚀准备:铝膜吸附硅片中的杂质时,很容易会有杂质残留在硅片上表面,所以需要对去除剩余铝膜后的上表面,使用去离子水进行冲洗,清洗掉残留杂质,并且在上表面形成一层水膜,方便接下来的正式刻蚀。

步骤6,进行刻蚀:对于形成有水膜的硅片,直接将此硅片放入刻蚀机内进行刻蚀,在去除了大量杂质的情况下实现对该硅片的刻蚀,从而防止了EL污染。刻蚀工艺对比:在保证电池片效率和刻蚀效果的前提下,使用直接运用刻蚀机进行刻蚀的原有刻蚀工艺以及该发明实施例1和该发明实施例2中的刻蚀工艺对160000片待刻蚀硅片进行刻蚀,对比结果如下表1所示:

表1

名称

产量/片

失效量/片

失效率/%

原有刻蚀工艺

160000

60800

38.0

实施例1

160000

35200

22.0

实施例2

160000

37400

23.4

通过对表1中的数据进行对比,能够发现该发明工艺在对160000片硅片进行刻蚀时,可以大大的降低电池板产量的失效率,使得EL检测时,漏电片和隐裂片的数量大大减小,有效的防止了EL污染。

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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺荣誉表彰

2020年7月17日,《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》获得安徽省第七届专利奖优秀奖。 2100433B

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一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺文献

太阳能电池板的优劣 太阳能电池板的优劣

太阳能电池板的优劣

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页数: 1页

太阳能电池板的优劣 请问同样 100w的电池板,转化率分别 7% 8% 13% 17% 18.5% 25% 26% 哪个板子好?答案是都一样,因 为都是 100w。电池板的优劣,主要取决于实际发电效率,而不是转换率。单晶 硅电池板,如果做工不过关, 100w的板子实际发电量只有 60w。如果原材料都为 单晶硅,转化率都一样,但是原材料的厚度不同, 实际发电量也不同这就出现了。 市场上有,100w单晶硅 250元就卖,也有 100w的电池板 600元都不卖,因为 250 元就卖的 100w的电池板外观尺寸和 600元都不卖的板子一样,但是实际的发电 量天壤之别,因为电池板的电流, 任何人通过万用表都测不准一个测电池板功率 的,二手的功率测试仪都要 12.6 万人民币,只能遵守一句话:一分钱一分货, 上当受骗的,都是贪图小便宜的, 砷化镓电池板转换率高的主要优点是面积小功 率大,而主要用途是给

太阳能电池板论文太阳能电池论文 (2) 太阳能电池板论文太阳能电池论文 (2)

太阳能电池板论文太阳能电池论文 (2)

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页数: 3页

太阳能电池板论文太阳能电池 论文 提高太阳能电池板光电转化率的研究 摘要:文章论述了太阳能电池板的发电原理及如何应用其作为发电系 统,提出了提高多晶硅太阳能电池板光能利用率的多种方法。 本文重 点讨论了如何使用追光系统来提高太阳能电池板光能利用率等方法。 关键词:多晶硅;太阳能电池板;效率;追光系统 引言 上世纪 60年代,科学家们已经将太阳能电池用于空间技术 -- 通 信卫星供电。上世纪末,在人类不断自我反省的过程中,对光伏发电 这种清洁又直接的能源形式已愈加亲切, 不仅在空间应用, 而且在众 多领域中已大显身手,如:太阳能庭院灯、光伏水泵 、通信电源 、 石油输油管道阴极保护、海水淡化系统 、高速公路路标等。欧美等 先进国家将光伏发电并入城市用电系统并将边远地区自然界村落供 电系统纳为其科技发展方向。 可见现今太阳能电池与建筑系统的结合 已经形成产业趋势。 1 太阳能电池应用的理论基础

等离子刻蚀机湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点

1. 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);

2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);

3. 传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);

4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。

此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:

直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。

定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。

下游模式--基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。

定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。

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刻蚀概述

刻蚀方法

刻蚀最简单最常用分类是:干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见,它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。

湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是:

湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀

优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低

缺点是:钻刻严重、对图形的控制性较差,不能用于小的特征尺寸;会产生大量的化学废液

干法刻蚀种类很多,包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是:各向异性好,选择比高,可控性、灵活性、重复性好,细线条操作安全,易实现自动化,无化学废液,处理过程未引入污染,洁净度高。缺点是:成本高,设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式,下游式,桶式),纯物理过程(如离子铣),物理化学过程,常用的有反应离子刻蚀RIE,离子束辅助自由基刻蚀ICP等。

干法刻蚀方式很多,一般有:溅射与离子束铣蚀, 等离子刻蚀(Plasma Etching),高压等离子刻蚀,高密度等离子体(HDP)刻蚀,反应离子刻蚀(RIE)。另外,化学机械抛光CMP,剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。

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工业用地防止污染

工业生产中排出大量废水、废气、废渣,并产生强大噪声,使空气、水、土壤受到污染,造成环境质量的恶化。先进的工业国家为改善被污染的环境质量不得不付出巨大的代价。在工业建设的同时控制污染是十分必要的,在规划中注意合理布局,也有利于改善环境卫生。各类工业排放的"三废"有害成分和数量不同,对城市环境影响也不同。废气污染以化工和金属制品工业最为严重;废水污染以化工、纤维与钢铁工业影响最大;废渣则以高炉为最多,每吨产品排出炉渣300^-400kg,体积则为铁的3倍。因此环境保护的重点放在冶金、化工、轻工以及钢铁、炼油、火电、石化、有色金属和造纸六大工业方面。为减少和避免工业对城市的污染,在城市中布置工业用地时应注意以下几个方面。

减少有害气体的污染

散发有害气体的工业不宜过分集中在一个地段。工业生产中散发出各种有害气体,给人类和各种植物带来危害。在城市中布置工业时,应了解各种工业排出废气的成分与数量,对集中与分散布置给环境带来的污染状况进行分析和研究。应特别注意,不要把废气能相互作用产生新的污染的工厂布置在一起,如氮肥厂和炼油厂相邻布置时,两个厂排放的废气会在阳光下发生复杂的化学反应,形成极为有害的光化学污染。

工业在城市中的布置要综合考虑风向、风速、季节、地形等多方面的影响因素。空气流通不良会使污物无法扩散而加重污染,在群山环绕的盆地、谷地,四周被高大建筑包围的空间及静风频率高的地区,不宜布置排放有害废气的工业。

在静风频率高的地区建设城市时,。规模不宜过大,布局亦应适当分散。应将排出大量废气的工业布置在空气流通的高地。高位置污染源的工业布置在谷地时,在一定风向、风速下会产生倒灌现象,遇逆温层时会使废气无法排出。为了减少废气对周围环境的污染,必须加大烟囱高度。如美国密契尔电厂,因附近6 ^} 3 Okg范围内有一系列高约200m山脊,为了使含硫烟气能在高空扩散稀释,烟囱加高到368m o

工业区与居住区之间按要求隔开一定距离,称为卫生防护带,带内遍植乔木。这段距离的大小随工业排放污物的性质与数量的不同而变化。虽然设置卫生防护带不是防止污染的根本措施,且过宽的防护带还会增加道路和工程管网长度,增加城市建设和经营管理费用,但在污染源未完全彻底消除以前,设置卫生防护带也是保护居住环境的现实措施。在卫生防护带中,一般可以设置一些少数人使用的、停留时间不长的建筑,如消防车库、仓库、停车场、市政工程构筑物等,不得将体育设施、学校、儿童机构和医院等布置在防护带内。要防止在防护带内设置大量临时建筑,而后又转化为永久性建筑,无形中取消了防护带。如武汉钢铁厂在建厂初期将施工人员的临时工棚建在防护带内,现临时工棚变成了工人村,工人居住在严重污染的地带,显然是不恰当的。

卫生防护带内必须种植树木,形成绿带,以有效减少工业对居住区的危害。绿带应选用对有害废气有抵抗能力、最好能吸收有害气体的树种。

防止废水污染

水在流动中有自净作用,当排人水体的污物数量过大,超过自净能力,则引起水质恶化。工业生产过程中产生大量含有各种有害物质的废水,这些废水若不加控制,任意排放,就会污染水体和土壤,进一步造成水源缺乏。当前中国工业建设大规模展开,需水量、排水量均日益增加,应不让水源进一步遭受污染。在城市现有及规划水源的上游不得设置排放有害废水的工业,亦不得在排放有害废水的工业下游开辟新的水源。集中布置废水性质相同的厂,以便统一处理废水,节约废水的处理费用。如纺织、制革、造纸等企业都排出含有机物废水,布置在一起可统一用微生物处理。

防止工业废渣污染

工业废渣主要来源于燃料和冶金工业,其次来源于化学和石油化工工业,它们的数量大,化学成分复杂,有的具有毒性。工业废渣回收利用途径较多,应尽量回收利用,否则不仅需占用大片土地,而且会对土壤、水质及大气产生污染。在城市中布置工业可根据其废渣的成分、综合利用的可能,适当安排一些配套项目,以求物尽其用。德国鲁尔区的煤、钢、化工联合企业,利用冶金矿渣和电厂粉煤灰建成水泥厂和硅酸盐制品厂。化工废渣种类繁多,综合利用十分广泛,在工业布置时要尽量统一安排。不能立即综合利用的废渣,要对其堆弃场地早做安排,尽量利用荒地堆弃废渣,并注意防止其对土壤、水源的污染。

防止噪声干扰

工业生产噪声很大,形成城市局部地区噪声干扰,特别是散布在居住区内的工厂,干扰更为严重。从工厂的性质看,噪声最大的是金属制品厂,其次为机械厂和化工厂。在规划中要注意将噪声大的工业布置在离居住区较远的地方,亦可设置一定宽度的绿带,减弱噪声干扰。

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