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蒸发沉积系统

蒸发沉积系统是一种用于材料科学、电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2010年8月26日启用。

蒸发沉积系统基本信息

中文名蒸发沉积系统
产地美国
学科领域材料科学、电子与通信技术
启用日期2010年8月26日
所属类别工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 电路板制造工艺实验设备

蒸发沉积系统主要功能

可以用热阻和电子束两种方式，在各种基片上沉积蒸发各种金属材料薄膜。 2100433B

蒸发沉积系统造价信息

市场价
信息价
询价

沉积石

规格型号：
印花、砂岩凸釉、干粒滚筒印花，VC,800*800，优等品
价格行情：
材料单位：
块
材料品牌：
路易摩登
材料税率：
13%
供应商：
福州东辉建材有限公司
报价时间：
2022-12-07

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沉积石

规格型号：
印花、砂岩凸釉、干粒滚筒印花，VC,600*600，优等品
价格行情：
材料单位：
块
材料品牌：
路易摩登
材料税率：
13%
供应商：
福州东辉建材有限公司
报价时间：
2022-12-07

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沉积灰岗石

规格型号：
厚度(mm):15,
价格行情：
材料单位：
m2
材料品牌：
万峰
材料税率：
13%
供应商：
万峰石材科技股份有限公司
报价时间：
2022-12-07

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沉积灰岗石

规格型号：
厚度(mm):16.5,
价格行情：
材料单位：
m2
材料品牌：
万峰
材料税率：
13%
供应商：
万峰石材科技股份有限公司
报价时间：
2022-12-07

查看价格

沉积石

规格型号：
印花、砂岩凸釉、干粒滚筒印花，VC,600*900，优等品
价格行情：
材料单位：
块
材料品牌：
路易摩登
材料税率：
13%
供应商：
福州东辉建材有限公司
报价时间：
2022-12-07

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高压喷药系统

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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高压喷药系统

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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高压喷药系统

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

高压喷药系统

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2011年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

高压喷药系统

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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低温蒸发系统

规格型号：
处理量60m3/h,Pn=140kW
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2020-12-10

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颗粒沉积天平

规格型号：
KCT-1 1μm-1050μm
需求量：
8555台
报价数：
1
材料品牌：
金恒
材料档次：
普通
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-04-11

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MVR蒸发器

规格型号：
1.类型:MVR蒸发器【总处理量5t/h】
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2019-03-26

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旋转蒸发仪

规格型号：
RE2000A,水浴锅,旋转蒸发仪主机
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
上海亚荣
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-07-08

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蒸发量仪

规格型号：
自动精密测量蒸发皿水位,分辨力:0.11mm,量筒补水精度:3%.
需求量：
1支
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2021-06-23

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蒸发沉积系统技术指标

腔室本底真空优于5x10-8torr；4 个7cc的蒸发坩埚；2个热蒸发电极。

蒸发沉积系统常见问题

直接蒸发机组系统

直接直接蒸发机组系统，即蒸发式制冷。由蒸发器，压缩机，冷凝器，膨胀阀等构成。还有一种制冷方式是-----吸收式制冷
沉积岩有哪些？

石灰岩.砂岩、页岩按沉积物的颗粒大小，沉积岩可分为砾岩、砂岩、页岩、等，石灰岩也是。沉积岩里面常常能找到古生物遗体、遗迹，沉积岩是地球历史的记录。沉积岩，又称为水成岩，是三...
沉积岩有哪些?

以物质来源为主要考虑因素的分类，沉积岩被分成三类，即由母岩风化物质、火山碎屑物质和生物遗体形成的不同沉积岩。母岩分化产物形成的沉积岩是最主要的沉积岩类型，包括碎屑岩和化学岩两类。碎屑岩根据粒度细...

蒸发沉积系统文献

沉积罐泥水界面监测系统

沉积罐泥水界面监测系统

沉积罐泥水界面监测系统

格式：pdf

大小：380KB

页数： 2页

分析超声波在油田大型沉积罐中传播媒质的传播特性,研究超声波声速与传播媒质的粘滞性、温度等参数关系,并且利用超声波测距的原理,研制了一套超声泥水界面监测系统。此系统测试量程为2cm～2.50m,误差为5mm,有效地反映沉积罐中沉渣堆积情况。

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设备名称：真空有机金属热蒸发—沉积(OLED)镀膜设备数量：1台

设备名称：真空有机金属热蒸发—沉积(OLED)镀膜设备数量：1台

设备名称：真空有机金属热蒸发—沉积(OLED)镀膜设备数量：1台

格式：pdf

大小：380KB

页数： 2页

设备名称：真空有机金属热蒸发—沉积(OLED)镀膜设备数量：1台

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沉积地层系统简介

沉积地层系统——原生或残余的成层岩系的顺序，是浅变质岩区里构造置换不太强烈地区的地层系统。一般原生层状构造保留较好，新生面状构造已经产生并局部地置换原生层理，但原生成层岩层仍保持其连续性。在这种地区，一般要求建立沉积地层系统，并划分与未变质沉积岩区相同的地层单位(元)，也就是以S0作为研究的起点(参照)——以层理为界面，在此基础上研究其它构造。 当然，变质岩区建立起的地层系统毕竟经过一定程度的构造－热作用影响，其地层的形态、内部结构和厚度、相变与未变质－变形前的地层系统肯定存在一定的差异。 2100433B

沉积反应化学气相沉积

化学气相沉积是制备各种薄膜材料的一种重要和普遍使用的技术，利用这一技术可以在各种基片上制备元素及化合物薄膜。化学气相沉积相对于其他薄膜沉积技术具有许多优点：它可以准确地控制薄膜的组分及掺杂水平使其组分具有理想化学配比；可在复杂形状的基片上沉积成膜；由于许多反应可以在大气压下进行，系统不需要昂贵的真空设备；化学气相沉积的高沉积温度会大幅度改善晶体的结晶完整性；可以利用某些材料在熔点或蒸发时分解的特点而得到其他方法无法得到的材料；沉积过程可以在大尺寸基片或多基片上进行。 化学气相沉积的明显缺点是化学反应需要高温；反应气体会与基片或设备发生化学反应；在化学气相沉积中所使用的设备可能较为复杂，且有许多变量需要控制。 化学气相沉积有较为广泛的应用，例如利用化学气相沉积，在切削工具上获得的TiN或SiC涂层，通过提高抗磨性可大幅度提高刀具的使用寿命；在大尺寸基片上，应用化学气相沉积非晶硅可使太阳能电池的制备成本降低；化学气相沉积获得的TiN可以成为黄金的替代品从而使装饰宝石的成本降低。而化学气相沉积的主要应用则是在半导体集成技术中的应用，例如：在硅片上的硅外延沉积以及用于集成电路中的介电膜如氧化硅、氮化硅的沉积等。 沉积反应一、一般化学气相沉积反应 在化学气相沉积中，气体与气体在包含基片的真空室中相混合。在适当的温度下，气体发生化学反应将反应物沉积在基片表面，最终形成固态膜。在所有化学气相沉积过程中所发生的化学反应是非常重要的。在薄膜沉积过程中可控制的变量有气体流量、气体组分、沉积温度、气压、真空室几何构型等。因此，用于制备薄膜的化学气相沉积涉及三个基本过程：反应物的输运过程，化学反应过程，去除反应副产品过程。广义上讲，化学气相沉积反应器的设计可分成常压式和低压式，热壁式和冷壁式。常压式反应器运行的缺点是需要大流量携载气体、大尺寸设备，膜被污染的程度高；而低压化学气相沉积系统可以除去携载气体并在低压下只使用少量反应气体，此时，气体从一端注入，在另一端用真空泵排出。因此，低压式反应器已得到广泛应用和发展。在热壁式反应器中，整个反应器需要达到发生化学反应所需的温度，基片处于由均匀加热炉所产生的等温环境下；而在冷壁式反应器中，只有基片需要达到化学反应所需的温度，换句话说，加热区只局限于基片或基片架。 下面是在化学气相沉积过程中所经常遇到的一些典型的化学反应。 1．分解反应 早期制备Si膜的方法是在一定的温度下使硅烷SiH₄分解，这一化学反应为： SiH₄（g） ——→Si（s） 2H₂（g） 许多其他化合物气体也不是很稳定，因而利用其分解反应可以获得金属薄膜： Ni（CO）₄（g）——→Ni（s） 4CO（g） Til2（g）——→Ti（s） 2I（g） 2．还原反应 一个最典型的例子是H还原卤化物如SICl₄获得Si膜： SiCl4（g） 2H2（g）——→Si（s） 4HCl（g） 其他例子涉及钨和硼的卤化物： WCl₆（g） 3H₂（g）——→W（s） 6HCl（g） WF₆（g） 3H₂（g）——→W（s） 6HF（g） 2BCl₃（g） 3H2（g）——→2B（g） 6HCI（g） 氯化物是更常用的卤化物，这是因为氯化物具有较大的挥发性且容易通过部分分馏而钝化。氢的还原反应对于制备像Al、Ti等金属是不适合的，这是因为这些元素的卤化物较稳定。 3．氧化反应 SiO₂通常由SiH₄的氧化制得，其发生的氧化反应为： SiH₄（g） O₂（g）——→SiO₂（s） 2H₂（g）反应可以在450℃较低的温度下进行。 常压下的化学气相反应沉积的优点在于它对设备的要求较为简单，且相对于低压化学气相反应沉积系统，它的价格较为便宜。但在常压下反应时，气相成核数将由于使用的稀释惰性气体而减少。 SiCl₄和GeCl₄的直接氧化需要高温： SiCl₄（g） O₂（g）——→SiOz（s） 2Cl₂（g） GeCl₄（g） O₂（g）——→GeO₂（s） 2Cl₂（g） 由氯化物的水解反应可氧化沉积Al： Al₂Cl₆（g） 2CO₂（g） 3H₂（g）——→Al₂O₃（s） 6HCl（g） 3CO（g） 4．氮化反应和碳化反应 氮化硅和氮化硼是化学气相沉积制备氮化物的两个重要例子： 3SiH₄（g） 4NH₃（g）——→Si₃N₄（s） 12H₂（g） 下列反应可获得高沉积率： 3SiH₂Cl₂（g） 4NH₃（g）——→Si₃N₄（s） 6HCI（g） 6H2（g） BCl₃（g） NH₃（g）——→BN（s） 3HCl（g） 化学气相沉积方法得到的膜的性质取决于气体的种类和沉积条件(如温度等)。例如，在一定的温度下，氮化硅更易形成非晶膜。在碳氢气体存在情况下，使用氯化还原化学气相沉积方法可以制得TiC： TiCl₄（g） CH₄（g）——→TiC（s） 4HCl（g） CH₃SiCl₃的热分解可产生碳化硅涂层： CH₃SiCl₃（g）——→SiC（s） 3HCl（g） 5．化合反应 由有机金属化合物可以沉积得到Ⅲ～V族化合物： Ga(CH3)₃（g） AsH₃（g）——→GaAs（s） 3CH₄（g） 如果系统中有温差，当源材料在温度T1时与输运气体反应形成易挥发物时就会发生化学输运反应。当沿着温度梯度输运时，挥发材料在温度T2(T1>T2)时会发生可逆反应，在反应器的另一端出现源材料： 6GaAs（g） 6HCI（g）↔As₄（g） As₂（g）) 6GaCI（g） 3H₂（g）（T1正反应，T2逆反应） 在逆反应以后，所获材料处于高纯态。 沉积反应二、化学气相沉积制备薄膜的传统方法 下表给出了化学气相沉积制备薄膜时所使用的化学气体以及沉积条件。 膜 反应气体 沉积温度/℃ 基底 ZnO （C2H5）₂Zn和O₂ 200~500 玻璃 Ge GeH₄ 500~900 Si SnO₂ SnCl₂和O₂ 350~500 玻璃 Nb/Ge NbCl₅和GeCl₄ 800和900 氧化铝 BN BCl₃和NH₃ 600~1000 SiO₂和蓝宝石 TiB2 H2，Ar，TiCl₄和B₂H₅ 600~900 石墨 BN BCl₃和NH₃ 250~700 Cu a-Si ：H Si₂H₄ 380~475 Si CdTe CdTe和HCl 550~650 CdTe（110） Si SiH₄ 570~640 Si（001） W WF₆，Si和H₂ 300 热氧化Si片 Si3N4 SiH₂Cl₂:：NH3=1:3 800 n型Si(111) B B₁₀H₁₄ 600~1200 350~700 Al2O3和Si Ta片 Si SiH₄ 775 Si片 TiSn2 SiH₄和TiCl₄ 650~700 Si片 W WF₆和Si 400 多晶Si

ALD原子层沉积系统主要功能

主要功能：用于沉积单原子层超薄膜的气相沉积设备。通过精确控制媒质的流量以及使用清除媒质，保证了一次只沉积一层指定要求的单原子层超薄膜。

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