2024-05-26
采用电子束蒸发和键合技术,制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器。用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型(RCE)金属-半导体-金属(MSM)光电探测器,响应峰值波长分别在836、900、965和1 030 nm处,其中在900 nm处峰值半高宽为18 nm。该器件具有波长选择特性,可有效抑制相邻频道间的串扰,而且容易制成集成面阵。
通过理论探讨和实验仿真,分析了一种新型谐振腔增强型光电探测器rcep(resonantcavityenhancedphotodetector)的结构及性能,该rcep的基本结构是将吸收层插入到谐振腔当中,并指出这种新型器件较传统器件可获得较高的量子效率和响应速度,而其具有的波长选择特性,使这种新型器件可在光波分复用wdm(wavelengthdivisionmultiplexing)系统中获得广泛应用。
西班牙的一支研究团队已制造出了一种将等离激元透镜与胶状量子点活动区域结合起来的小而灵敏的光电探测器。巴塞罗那光子科学研究所的西尔克·迪登霍芬(silkediedenhofen)及其同事利用由胶状pbs量子点制成的红外探测器,把一个扁平靶心结构等离激元透镜集成到sio2-si基质上,这个等
通过在硅pin结构的基础上进行改进,采用硅p+pin结构,研制出650nm增强型光电探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流和响应速度等参数进行计算与分析。实验结果表明,器件响应度达0.448a/w(λ=650nm),暗电流达到0.1na(vr=10v),上升时间达到3.2ns。
增加一层单层的纳米级微粒,就能显著地改变物质结构的光学性质。最近我们提供了一个实际例子:在薄薄的硅在绝缘层上(soi)的光电探测器上,增加一层纳米微粒的银(ag)层,其光学吸收能力(吸收波长λ≈800nm)会增加大约20倍。图1上部表示soi样品的几何图形以及纳米微粒层的一张扫描电子显微镜(sem)成像图,微粒的平均直径d=108nm。这种光电探测器是由一个p-n结所组成的,而
shine-youtechnologyco.,ltd addr:3f,bld.5,shangshainnovativescience&techpark,futian,shenzhen,china,518048 tel:+86-755-29812573email:info@shine-you.comhttp://www.***.*** 微型封装(minican)ingaaspin光电探测器 特点: 微型封装,封装尺寸≤2.41mm 高响应 工作电压5v 超低暗电流 单针脚密封 工作温度-40~+85℃ 应用: 光纤通信 数据/图像传输 光纤传感 光测量仪器仪表 最大额定值: 工作温度(℃)-40~+125 存储温度(℃)-50~+125 正向电流(ma)4/8 反向电压(v)≥
photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件.随着电子科学技术的日趋成熟,光电探测器的应用将更加广泛.本文阐述了光电探测器的发展、工作原理、结构、种类及应用.
采用宽带隙半导体材料sic,进行紫外光电探测器的制备。基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用sio2+al2o3工艺,同时对其表面钝化层和增透抗反膜工艺进行了研究讨论。
要正确选择光电探测器,首先要对探测器的原理和参数有所了解。 1.光电探测器 光电二极管和普通二极管一样,也是由pn结构成的半导体,也具有单方向导电性, 但是在电路中它不作为整流元件,而是把光信号转变为电信号的光电传感器件。 普通二极管在反向电压工作时处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极 管在设计和制作时尽量使pn结的面积相较大,以便接收入射光。光电二极管在反向电压工 作下的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增加到几十 微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化, 这就可以把光信号转换为电信号,称为光电传感器件。 2.红外探测器 光电探测器的应用大多集中在红外波段,关于选择红外波段的原因在这里就不再冗 余了,需要特别指出的是60年代激光的出现极大地影响了红外技术的发展,很多重要的激 光器件都在红外波段,
据物理学家组织网4月14日报道,西班牙和美国科学家合作研制出一种基于石墨烯的光电探测器转化仪,其能在不到50飞秒(飞秒为千万亿分之一秒)的时间内将光转化为电信号,几乎接近光电转化速度的极限,将大力助推多个领域的发展。高效的光电转化技术,因为能让光所携带的信息转化成可在电子电路中进行处理的电信号,在从照相机到太阳能电池等多个关键技术领域发挥着重要作用,也是数据通讯应用的重要支撑。尽管石墨烯是一种拥有
研制了一种gaas基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长in_(0.25)ga_(0.75)as/gaas量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071nm,器件在21v的直流调谐电压下,实现了波长大于23nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5v时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
光电探测器是光电系统的核心组成部分,其性能直接影响着光电系统的性能。该文通过用探测器的脉冲响应特性测量响应时间,利用探测器的幅频特性确定其响应时间。该文分析了光电探测器的响应度不仅与信号光的波长有关,而且与信号光的调制频率有关,在提出测量探测器响应时间的方法的同时分析了误差的产生原因和解决办法。
近来获得极大发展的谐振腔光电探测器具有引人注目的波长选择特性,并且实现了器件量子效率与带宽的渡越时间分量之间的解耦。但是,在其量子效率与光谱响应线宽之间仍存在着相互制约的关系,即这种结构本身决定了它很难同时获得窄线宽(<2nm)和较高的量子效率。本文分析了我们最近提出的一种新型器件结构,即一镜斜置的三镜腔结构,并就其实现方法进行了讨论。这种结构具有使量子效率同时与带宽和光谱响应线宽解耦的优点。计算表明,这种结构可以同时获得2nm的光谱线宽和高于50%的量子效率。此外,通过调节滤波子腔中的材料折射率可以在很宽的范围内调谐响应光谱峰。
最小标准模型(msm)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(gan)msm结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。msm形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用au作为金属电极。得到的肖特基型gan紫外光电探测器的暗电流在1v偏压下为3.5na,器件在1v偏压下的最大响应度值出现在362nm处,大小为0.12a/w,器件的上升时间小于10ns,下降时间为210ns。并对器件响应时间的影响因素进行了深入的分析。
职位:消防电施工员
擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林
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