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高压液封直拉法是用高压单晶炉拉制GaAs单晶,拉晶时炉内惰性气体压力为3-6兆帕,B2O3覆盖层的厚度为10-20毫米。由于其合成温度低,时间短,则可有效地控制硅及其他杂质的污染,使半绝缘GaAs堆晶的迁移率大幅度提高。而且,这一方法还可制取较大直径的圆形<100>晶片。工艺中控制砷/镓比是获得半绝缘不掺杂质单晶的关键。
高压液封直拉法,可提高单晶纯度,扩大<100>单晶圆片直径,简化生产工艺,降低成本。比水平法和常压直拉法的单晶,更能符合微波场效应器件和超高速大容量集成电路的需要。
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目前用于制备磷化镓的高压单晶炉可充100-200大气压的惰性气体。这种工艺的拉晶技术大体上和液封直拉法相同,只是因为炉内惰性气体压力很大,因此引起强烈的对流,从而给单晶生长带来更多的困难。但它目前仍然是从熔体中生长大直径磷化物单晶的最好方法之一。
由于Ⅲ一V族化合物半导体中的磷化铟、磷化镓等在熔点时具有很高的离解压,因此从熔体中生长单晶的工艺变得十分困难。自从出现液封直拉法后,又进一步改进炉子的机械结构强度,解决了由于炉内充高压惰性气氛带来的高压气体密封问题。采用氧化硼为密封剂,进行磷化镓等直拉单晶生长,这种技术称为高压液封直拉法。
化工生产中,把管子弯下来放进一个液体槽中,以达到密封关内气体、防止漏气的作用,所用到的承装液体的槽就叫液封槽。
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太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池,然而由于原材料多晶硅的供应能力有限,加上国际炒家的炒作,导致国际市场上多晶硅价格一路攀升,最近一年来,由于受经济危机影响,价格有...
沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器
半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的L-I(光功率—电源)特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.因此,努力改进其性能,特别是控制其横模得到了广泛的重视.本文所报导的沟槽衬底条形激光器工艺简单,而且在沿结平面方向因第一外延层n-Al_(0.3)Ga_(0.7) As厚度变化引起了有效折射率的变化,产生了一定的波导作用,从而稳定了横模.同时这种激光器的作用区是圆弧形的,有利于跟光纤的耦合.沟槽衬底条形激光器的横向电流限制是用沟槽区外的p-n-p-n结构实现的.它的制造工艺主要是采用普通的化学腐蚀和液相外延.首先在(100)取向的n-GaAs衬底上扩散Zn形成一层厚约 2微米的P-GaAs,
用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层
用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层 作者: 江山, 潘勇, 唐甜, 周益春, JIANG Shan, PAN Yong, TANG Tian, ZHOU Yi-chun 作者单位: 江山,JIANG Shan(河南工业大学理学院,河南,郑州,450007;湘潭大学先进材料及其流变特性 教育部重点试验室,湖南,湘潭,411105) , 潘勇,唐甜,周益春,PAN Yong,TANG Tian,ZHOU Yi-chun(湘潭大学先进材料及其流变特性教育部重点试验室,湖南,湘潭,411105;湘潭大学材 料与光电物理学院,湖南,湘潭,411105) 刊名: 材料保护 英文刊名: MATERIALS PROTECTION 年,卷(期): 2007,40(3) 被引用次数: 5次 参考文献(15条) 1.卢柯;周飞 纳米晶体材料的研究现状 1997(01) 2.徐承坤;杨中东 电沉积制备纳
《电子学名词》第一版。 2100433B
1993年,经全国科学技术名词审定委员会审定发布。