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高压液封直拉法制备砷化镓单晶

高压液封直拉法制备砷化镓单晶

高压液封直拉法是用高压单晶炉拉制GaAs单晶,拉晶时炉内惰性气体压力为3-6兆帕,B2O3覆盖层的厚度为10-20毫米。由于其合成温度低,时间短,则可有效地控制硅及其他杂质的污染,使半绝缘GaAs堆晶的迁移率大幅度提高。而且,这一方法还可制取较大直径的圆形<100>晶片。工艺中控制砷/镓比是获得半绝缘不掺杂质单晶的关键。

高压液封直拉法,可提高单晶纯度,扩大<100>单晶圆片直径,简化生产工艺,降低成本。比水平法和常压直拉法的单晶,更能符合微波场效应器件和超高速大容量集成电路的需要。

2100433B

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高压液封直拉法造价信息

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旋翼湿式液封水表

  • LXS-40F(DN40)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
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旋翼湿式液封水表

  • LXS-50F(DN50)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
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旋翼湿式液封水表

  • LXS-32F(DN32)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
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旋翼湿式液封水表

  • LXS-15F (DN15)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
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旋翼湿式液封水表

  • LXS-20F(DN20)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
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高压喷药系统

  • 台班
  • 汕头市2012年4季度信息价
  • 建筑工程
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高压喷药系统

  • 台班
  • 汕头市2012年3季度信息价
  • 建筑工程
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高压喷药系统

  • 台班
  • 广州市2010年4季度信息价
  • 建筑工程
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高压喷药系统

  • 台班
  • 广州市2007年4季度信息价
  • 建筑工程
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高压喷药系统

  • 台班
  • 广州市2007年3季度信息价
  • 建筑工程
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样本制备间台

  • 样本制备间台
  • 1m
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-11-05
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单晶光伏组件

  • 540W单晶光伏组件
  • 372块
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2022-03-08
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PAM制备装置

  • 制备能力:1000L/h
  • 1套
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2021-07-09
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PAM制备装置

  • JY-1000,制备浓度0.1%
  • 1套
  • 2
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2019-12-06
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450w单晶组件

  • 450w单晶组件
  • 445000瓦
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-11-16
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高压液封直拉法工艺特点

目前用于制备磷化镓的高压单晶炉可充100-200大气压的惰性气体。这种工艺的拉晶技术大体上和液封直拉法相同,只是因为炉内惰性气体压力很大,因此引起强烈的对流,从而给单晶生长带来更多的困难。但它目前仍然是从熔体中生长大直径磷化物单晶的最好方法之一。

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高压液封直拉法简介

由于Ⅲ一V族化合物半导体中的磷化铟、磷化镓等在熔点时具有很高的离解压,因此从熔体中生长单晶的工艺变得十分困难。自从出现液封直拉法后,又进一步改进炉子的机械结构强度,解决了由于炉内充高压惰性气氛带来的高压气体密封问题。采用氧化硼为密封剂,进行磷化镓等直拉单晶生长,这种技术称为高压液封直拉法。

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高压液封直拉法制备砷化镓单晶常见问题

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高压液封直拉法制备砷化镓单晶文献

沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器 沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器

沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器

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半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的L-I(光功率—电源)特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.因此,努力改进其性能,特别是控制其横模得到了广泛的重视.本文所报导的沟槽衬底条形激光器工艺简单,而且在沿结平面方向因第一外延层n-Al_(0.3)Ga_(0.7) As厚度变化引起了有效折射率的变化,产生了一定的波导作用,从而稳定了横模.同时这种激光器的作用区是圆弧形的,有利于跟光纤的耦合.沟槽衬底条形激光器的横向电流限制是用沟槽区外的p-n-p-n结构实现的.它的制造工艺主要是采用普通的化学腐蚀和液相外延.首先在(100)取向的n-GaAs衬底上扩散Zn形成一层厚约 2微米的P-GaAs,

用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层 用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层

用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层

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用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层 作者: 江山, 潘勇, 唐甜, 周益春, JIANG Shan, PAN Yong, TANG Tian, ZHOU Yi-chun 作者单位: 江山,JIANG Shan(河南工业大学理学院,河南,郑州,450007;湘潭大学先进材料及其流变特性 教育部重点试验室,湖南,湘潭,411105) , 潘勇,唐甜,周益春,PAN Yong,TANG Tian,ZHOU Yi-chun(湘潭大学先进材料及其流变特性教育部重点试验室,湖南,湘潭,411105;湘潭大学材 料与光电物理学院,湖南,湘潭,411105) 刊名: 材料保护 英文刊名: MATERIALS PROTECTION 年,卷(期): 2007,40(3) 被引用次数: 5次 参考文献(15条) 1.卢柯;周飞 纳米晶体材料的研究现状 1997(01) 2.徐承坤;杨中东 电沉积制备纳

液封覆盖直拉法简介

中文名称
液封覆盖直拉法
英文名称
liquid encapsulated Czochralski method
定  义
熔体表面有一层覆盖剂,晶体是从被覆盖剂包裹的熔体中拉制出来。主要用于制备具有挥发性组分的化合物半导体单晶的方法。
应用学科
材料科学技术(一级学科),半导体材料(二级学科),半导体材料制备(三级学科)

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液封直拉法出处

《电子学名词》第一版。 2100433B

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液封直拉法公布时间

1993年,经全国科学技术名词审定委员会审定发布。

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